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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：1991     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Boron depth profiles in a-Si1-xCx:H(B) films after thermal annealing 会议论文 1991 International Conference on Thin Film Physics and Applications, Shanghai, China, April 15, 1991 - April 17, 1991 作者:  Liao, Changgeng;  Zheng, Zhihao;  Wang, Yongqiang;  Yang, Shengsheng 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/01/20 Semiconducting Silicon  Heat Treatment  Annealing  Semiconducting Films  Photovoltaic Effects  Semiconductor Materials  Doping  Solar Cells  Silicon  Boron Doped Silicon  Hydrogenated Amorphous Silicon  Thermal Annealing  Wind Band Gap Semiconductors