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Manufacture of semiconductor device 专利
专利号: JP1990296385A, 申请日期: 1990-12-06, 公开日期: 1990-12-06
作者:  HASHIMOTO AKIHIRO;  FUKUNAGA TOSHIAKI;  WATANABE NOZOMI
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Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1990296384A, 申请日期: 1990-12-06, 公开日期: 1990-12-06
作者:  FUKUNAGA TOSHIAKI;  HASHIMOTO AKIHIRO;  WATANABE NOZOMI
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Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1990296383A, 申请日期: 1990-12-06, 公开日期: 1990-12-06
作者:  WATANABE NOZOMI;  FUKUNAGA TOSHIAKI;  HASHIMOTO AKIHIRO
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Integrated type semiconductor laser 专利
专利号: JP1990257692A, 申请日期: 1990-10-18, 公开日期: 1990-10-18
作者:  IWANO HIDEAKI
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Manufacture of semiconductor laser element 专利
专利号: JP1990015689A, 申请日期: 1990-01-19, 公开日期: 1990-01-19
作者:  KONDO MASAFUMI;  SUYAMA NAOHIRO;  TAKAHASHI KOUSEI;  HOSODA MASAHIRO;  SASAKI KAZUAKI
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser element 专利
专利号: JP1990015687A, 申请日期: 1990-01-19, 公开日期: 1990-01-19
作者:  KONDO MASAFUMI;  SUYAMA NAOHIRO;  TAKAHASHI KOUSEI;  HOSODA MASAHIRO;  SASAKI KAZUAKI
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18
SiC,Si_3N_4晶须的制备方法与显微结构研究 学位论文
博士, 中国科学院金属研究所: 中国科学院金属研究所, 1990
周延春
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2012/04/10
TEMPERATURE EFFECT OF ION-BEAM MIXING AT AU-SI [111] INTERFACES 期刊论文
VACUUM, 1990, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 281
LI, YP; WANG, PX; CHEN, J; LIU, JR; ZHANG, QH; QIU, CQ
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2013/09/23
ASYMMETRIC DISTRIBUTION OF MICROTWINS IN A GAAS/SI HETEROSTRUCTURE GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1990, 卷号: 57, 期号: 26, 页码: 2803
XIE, QH; FUNG, KK; DING, AJ; CAI, LH; HUANG, Y; ZHOU, JM
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2013/09/17
CATION ENVIRONMENTS AND THE MIXED ALKALI EFFECT IN SILICATE-GLASSES - AN EXAFS INVESTIGATION 期刊论文
INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES, 1990, 期号: 111, 页码: 411-418
作者:  GREAVES, GN;  CATLOW, CRA;  VESSAL, B;  CHARNOCK, J;  HENDERSON, CMB
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