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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：1990     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Integrated type semiconductor laser 专利 专利号: JP1990257692A, 申请日期: 1990-10-18, 公开日期: 1990-10-18 作者:  IWANO HIDEAKI 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 Process for the directed modulation of the composition or doping of semiconductors, notably for the manufacture of planar monolithic electronic components, use and corresponding products 专利 专利号: EP0390661A1, 申请日期: 1990-10-03, 公开日期: 1990-10-03 作者:  KARAPIPERIS, LÉONIDAS;  PRIBAT, DIDIER 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 Manufacture of sub-mount of semiconductor laser element heat dissipating body 专利 专利号: JP1990244689A, 申请日期: 1990-09-28, 公开日期: 1990-09-28 作者:  WATANABE YASUMASA 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor element 专利 专利号: JP1990229484A, 申请日期: 1990-09-12, 公开日期: 1990-09-12 作者:  FUKUSHIMA TORU;  TAKABAYASHI TSUNEHISA;  KOKAYU MIKIO 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 Manufacture of semiconductor laser 专利 专利号: JP1990226780A, 申请日期: 1990-09-10, 公开日期: 1990-09-10 作者:  OTAKI KANAME 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18 Surface treatment method of gaas substrate 专利 专利号: JP1990210830A, 申请日期: 1990-08-22, 公开日期: 1990-08-22 作者:  HIRAYAMA FUKUICHI;  TAKEUCHI HIDEO 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 STUDY OF THE AMORPHOUS FE100-XBX AND (FE70CO30)100-XBX POWDER PREPARED BY BOROHYDRIDE REDUCTION 会议论文 INTERNATIONAL CONF ON THE APPLICATIONS OF THE MOSSBAUER EFFECT, BUDAPEST, HUNGARY, SEP 04-08, 1989 作者:  LI, FS;  XUE, DS;  ZHOU, RJ 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/07/31 CONTROL OF THE BORON CONTENT IN AMORPHOUS POWDER PREPARED BY BOROHYDRIDE REDUCTION 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, 1990, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: 506-508 - 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/05/25 Semiconductor optical element 专利 专利号: JP1990010786A, 申请日期: 1990-01-16, 公开日期: 1990-01-16 作者:  KAYANE NAOKI;  TSUJI SHINJI;  UOMI KAZUHISA;  OKAI MAKOTO 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18