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Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1989309391A, 申请日期: 1989-12-13, 公开日期: 1989-12-13
作者:  HASHIMOTO AKIHIRO;  FUKUNAGA TOSHIAKI;  WATANABE NOZOMI
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Method for growing thin film crystal 专利
专利号: JP1989194314A, 申请日期: 1989-08-04, 公开日期: 1989-08-04
作者:  USUDA KOJI;  YASUAMI SHIGERU
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31
Method for making a semiconductor device 专利
专利号: US4847217, 申请日期: 1989-07-11, 公开日期: 1989-07-11
作者:  OMURA, ETSUJI;  GOTO, KATSUHIKO
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一水硬铝石矿交变电场预处理及溶出过程的研究 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院, 1989
王亚军
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渣油裂化过程中催化剂上沉积重金属形态及其脱除方法的研究 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院, 1989
张霞
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/07/03
Formation of edge face preventive film of semiconductor laser 专利
专利号: JP1989138785A, 申请日期: 1989-05-31, 公开日期: 1989-05-31
作者:  UCHIDA MAMORU
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Behaviour of a Two Rows of Holes Coolant Film Along the Pressure Side of a High Pressure Nozzle Guide Vane 会议论文
ASME, Toronto, Ontario, Canada, 32663
T.ARTS; A.E.BOURGUIGNON
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耀斑瞬变流的MHD特性 期刊论文
天体物理学报, 1989, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 252-259
章公亮
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STUDY OF COMPRESSIBILITY OF LAMINATED PHENOLIC GFRP AT HIGH-PRESSURE 期刊论文
CHINESE SCIENCE BULLETIN, 1989, 卷号: 34, 期号: 19, 页码: 1605
BAO, ZX; GU, HC; ZHANG, ZT
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2013/09/24
PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF IN0.25GA0.75AS-GAAS STRAINED QUANTUM WELLS UNDER HIGH-PRESSURE 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 1989, 卷号: 6, 期号: 2, 页码: 76
WANG, LJ; HOU, HQ; ZHOU, JM; TANG, RM; LU, ZD; WANG, YY; HUANG, Q
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/24

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