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Distributed reflection semiconductor laser element 专利
专利号: JP1988255985A, 申请日期: 1988-10-24, 公开日期: 1988-10-24
作者:  OGAWA HIROSHI;  OSHIBA SAEKO;  MATOBA AKIHIRO;  KOBAYASHI MASAO
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Semiconductor light emitting element and manufacture thereof 专利
专利号: JP1988244785A, 申请日期: 1988-10-12, 公开日期: 1988-10-12
作者:  MORINAGA MOTOYASU;  FURUYAMA HIDETO
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor light-emitting element and its manufacture 专利
专利号: JP1988228694A, 申请日期: 1988-09-22, 公开日期: 1988-09-22
作者:  KASAHARA KENICHI;  YANASE TOMOO
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18
Driving device for laser source 专利
专利号: JP1988175487A, 申请日期: 1988-07-19, 公开日期: 1988-07-19
作者:  MONMA HISAYOSHI
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor laser device and its manufacture 专利
专利号: JP1988170984A, 申请日期: 1988-07-14, 公开日期: 1988-07-14
作者:  NAGAI YUTAKA;  MIHASHI YUTAKA
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13
Distributed feedback type semiconductor laser 专利
专利号: JP1988111689A, 申请日期: 1988-05-16, 公开日期: 1988-05-16
作者:  MATSUI TERUHITO
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18
STUDY ON EXCIPLEXES FORMED BY BENZENE, NAPHTHALENE, ANTHRACENE AND 1,4-DICYANOBENZENE 期刊论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 1988, 卷号: 40-1, 页码: 233-234
作者:  ZHANG, LM;  CHEN, SX
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/09
ENHANCING AFFECTION OF EXCIMER FORMATION OF PHENYL PROPIONATE BY BETA-CYCLODEXTRIN 期刊论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 1988, 卷号: 40-1, 页码: 266-267
作者:  ZHANG, LM;  CHEN, SX
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/09
ISOMERIC EFFECT OF EXCIPLEX FORMATION 期刊论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 1988, 卷号: 40-1, 页码: 241-241
作者:  CHEN, SX;  CHEN, ZC
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/09
APPLICATION OF ELECTRON-SPIN-RESONANCE TO THE STUDY OF LUMINESCENCE CHARACTERISTICS OF ZNS-MN, CU 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1016/0022-2313(88)90460-7, 1988
LI, J; LU, WX; SHU, QW; 李军
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