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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1987257784A, 申请日期: 1987-11-10, 公开日期: 1987-11-10
作者: MIYAUCHI NOBUYUKI; MAEI SHIGEKI; KASAI SHUSUKE; YAMAMOTO OSAMU; HAYASHI HIROSHI
  收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| EFFECT OF ANNEALING TEMPERATURE ON HYDROGEN CONTENT IN A-SI-H/A-SINX-H MULTILAYER FILMS 期刊论文
MATERIALS LETTERS, 1987, 卷号: 6, 期号: 1-2, 页码: 45-48
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收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2015/05/25 |
| Liquid-phase epitaxy apparatus 专利
专利号: JP1987171116A, 申请日期: 1987-07-28, 公开日期: 1987-07-28
作者: MOROSAWA KENICHI; NAKAMURA HITOSHI; OISHI AKIO; TSUJI SHINJI; MATSUMURA HIROYOSHI
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 银在H_2O_2—NH_4~+体系中氧化浸取动力学的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 1987
谭爱国
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2013/09/28 |
| 难选氧化铜矿的硫化研究 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院, 1987
景伟松
收藏 | 浏览/下载：34/0 | 提交时间：2013/09/28 |
| Semiconductor light-emitting device 专利
专利号: JP1987144387A, 申请日期: 1987-06-27, 公开日期: 1987-06-27
作者: EBE KOJI; NISHIJIMA YOSHITO; SHINOHARA KOJI
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1987122190A, 申请日期: 1987-06-03, 公开日期: 1987-06-03
作者: IDE YUICHI
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Manufacture of semiconductor laser element 专利
专利号: JP1987114283A, 申请日期: 1987-05-26, 公开日期: 1987-05-26
作者: USHIKUBO TAKASHI; FURUKAWA RYOZO; WATANABE NOZOMI; SAKUTA MASAAKI
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Wavelength stabilized laser 专利
专利号: JP1987021285A, 申请日期: 1987-01-29, 公开日期: 1987-01-29
作者: MATSUI YASUSHI; FUJITA TOSHIHIRO
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| HIGH-TEMPERATURE CREEP OF NI-CR-CO ALLOYS AND THE EFFECT OF STACKING-FAULT ENERGY 期刊论文
Zeitschrift Fur Metallkunde, 1987, 卷号: 78, 期号: 5, 页码: 339-343
Z. Yang; Y. Xiao; C. X. Shih
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2012/04/14 |
