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西安光学精密机械研究... [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
1986 [4]
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发表日期:1986
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Means and method for a self-aligned multilayer laser epitaxy structure device
专利
专利号: US4623427, 申请日期: 1986-11-18, 公开日期: 1986-11-18
作者:
ACKLEY, DONALD E.
;
ENGELMANN, REINHART W. H.
;
INOUYE, TERUKO K.
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提交时间:2019/12/26
Double heterostructure semiconductor laser with periodic structure formed in guide layer
专利
专利号: US4618959, 申请日期: 1986-10-21, 公开日期: 1986-10-21
作者:
MITO, IKUO
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/26
Manufacture of buried semiconductor laser
专利
专利号: JP1986104687A, 申请日期: 1986-05-22, 公开日期: 1986-05-22
作者:
KONNO KUNIAKI
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提交时间:2020/01/13
Liquid growthing method
专利
专利号: JP1986046018A, 申请日期: 1986-03-06, 公开日期: 1986-03-06
作者:
KUSUKI TOSHIHIRO
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提交时间:2019/12/31
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