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Physics [2]
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发表日期:1986
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Semiconductor laser
专利
专利号: JP1986295684A, 申请日期: 1986-12-26, 公开日期: 1986-12-26
作者:
OSHIMA MASAAKI
;
HIRAYAMA NORIYUKI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser structure
专利
专利号: US4631729, 申请日期: 1986-12-23, 公开日期: 1986-12-23
作者:
GOODWIN, FRANK E.
;
LAW, HSIANG-YI D.
;
MORRISON, CHARLES B.
;
FIGUEROA, LUIS
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor device structure
专利
专利号: EP0205164A2, 申请日期: 1986-12-17, 公开日期: 1986-12-17
作者:
CHEN, CHUNG YIH
;
CHO, ALFRED YI
;
CHU, SUNG-NEE GEORGE
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提交时间:2020/01/18
Molecular-beam epitaxial growth device
专利
专利号: JP1986278130A, 申请日期: 1986-12-09, 公开日期: 1986-12-09
作者:
MIURA SHUICHI
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser
专利
专利号: JP1986271887A, 申请日期: 1986-12-02, 公开日期: 1986-12-02
作者:
YOSHIKUNI YUZO
;
KAWAMURA YUICHI
;
WAKITA KOICHI
;
TENMIYO JIRO
;
ASAHI HAJIME
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
专利号: JP1986269391A, 申请日期: 1986-11-28, 公开日期: 1986-11-28
作者:
HIRANO MASAO
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2020/01/13
Phased array semiconductor lasers with preferred emission in a single lobe
专利
专利号: US4624000, 申请日期: 1986-11-18, 公开日期: 1986-11-18
作者:
STREIFER, WILLIAM
;
SCIFRES, DONALD R.
;
BURNHAM, ROBERT D.
;
PAOLI, THOMAS L.
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/26
Optical integrated element and manufacture of the same
专利
专利号: JP1986248489A, 申请日期: 1986-11-05, 公开日期: 1986-11-05
作者:
ADAKA SABURO
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/31
EARTHQUAKE DISTRIBUTIONS AND THE CHARACTERISTICS OF TECTONIC STRESS-FIELD IN PANXI REGION, SOUTHWEST CHINA
期刊论文
ACTA GEOPHYSICA SINICA, 1986, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 557-566
作者:
LIANG, SH
;
SHU, PY
;
LI, YM
;
ZHU, PD
;
ZHANG, LM
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2018/09/26
EARTHQUAKE DISTRIBUTIONS AND THE CHARACTERISTICS OF TECTONIC STRESS-FIELD IN PANXI REGION, SOUTHWEST CHINA
期刊论文
ACTA GEOPHYSICA SINICA, 1986, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 557-566
作者:
LIANG, SH
;
SHU, PY
;
LI, YM
;
ZHU, PD
;
ZHANG, LM
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2018/09/26
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