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Semiconductor laser device and manufacture thereof 专利
专利号: JP1986294886A, 申请日期: 1986-12-25, 公开日期: 1986-12-25
作者:  MUTO KATSUHIKO
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Apparatus for liquid phase epitaxial growth 专利
专利号: JP1986225821A, 申请日期: 1986-10-07, 公开日期: 1986-10-07
作者:  MAEDA AKIO
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Method of forming mesa structure 专利
专利号: JP1986184892A, 申请日期: 1986-08-18, 公开日期: 1986-08-18
作者:  SUZUKI TORU
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Method for liquid-phase growth 专利
专利号: JP1986181124A, 申请日期: 1986-08-13, 公开日期: 1986-08-13
作者:  SHINOHARA YASUO
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磷矿石熔态还原动力学及其反射炉过程的数学模型 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院, 1986
鲍晓军
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Method of crystal growth of semiconductor 专利
专利号: JP1986114521A, 申请日期: 1986-06-02, 公开日期: 1986-06-02
作者:  KOMAZAKI IWAO
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高碳钢马氏体亚结构的形成与相变开裂 期刊论文
金属学报/Jinshu Xuebao/Acta Metallurgica Sinica, 1986, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: a393-a402
作者:  蒋生蕊
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Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1986013682A, 申请日期: 1986-01-21, 公开日期: 1986-01-21
作者:  SHINOHARA YASUO
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ELECTRICAL DOUBLE-LAYER CAPACITOR BY USING BETA''-AL2O3 CONTAINING FINE CARBON PARTICLES AS ELECTROLYTES 期刊论文
SOLID STATE IONICS, 1986, 卷号: 9-18, 页码: 1134
XUE, RJ; CHEN, LG
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298.1K时脂肪酸钠盐对定组成水溶液中非水组分活度系数的影响 期刊论文
物理化学学报, 1986
黄忆宁; 倪朝烁; 李芝芬; 刘瑞麟
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