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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：1985     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Semiconductor laser device 专利 专利号: JP1985239086A, 申请日期: 1985-11-27, 公开日期: 1985-11-27 作者:  KOBAYASHI MASAYOSHI;  MORI TAKAO;  CHIBA KATSUAKI;  SATOU NOBU;  HIRAO MOTONAO 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 溶胀作用对裂片径迹直径法测体蚀刻速度的影响 期刊论文 核技术, 1985, 期号: 4, 页码: 8--9 作者:  翟鹏济;  康铁笙 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2015/12/25 溶胀  体蚀刻速度  聚碳酸酯  核径迹探测器   硕士论文-正电子化学方法的建立及其研究固氮催化体系的尝试 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 1985 作者:  龙熙平 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/10/12 正电子  化学方法  固氮催化体系   甲苯与甲醇在H_3BO_3-KOH改性的KX沸石上侧链烷基化反应性能的研究 期刊论文 石油学报(石油加工), 1985, 页码: 43-50 作者:  沈东敏;  王桂茹;  王祥生 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/06 沸石  酸碱性  反应性能  交换度  架状硅酸盐矿物  H_3BO_3-KOH  KX  侧链烷基化反应  甲苯  芳基甲烷  甲醇  一元醇  BO