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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：1980     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 非晶态半导体Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2中掺Mn的研究 期刊论文 仪表材料, 1980, 期号: 5, 页码: 57 作者:  陈光华;  吴锦华;  王印月;  甘润今 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 电导率:8067  非晶态半导体:3777  激活能:2865  曲线:1782  讯号:1630  测量结果:1264  极小值:1224  掺杂量:1184  温度关系:1027  掺入:1020   对硫族玻璃Te_(81)Ge_(15)S_2Sb_2中掺Mn特性的研究 期刊论文 自然杂志, 1980, 期号: 9, 页码: 713-714 作者:  陈光华;  吴锦华;  王印月;  甘润今 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/04/27 电导率:7318  非晶半导体:4772  测量结果:3057  射线衍射:2782  激活能:1673  电子自旋共振:1248  空穴:893  硫族:752  极小值:662  键结构:641   Ge对非晶硫系化合物半导体低温跳跃电导的影响 期刊论文 半导体学报, 1980, 期号: 3, 页码: 187-191 作者:  陈光华;  王印月;  吴锦华;  甘润今;  张仿清 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 跳跃电导:7023  化合物半导体:5209  硫系玻璃:3514  变程跳跃导电:2095  态密度:1704  非晶态半导体:1319  相关能:875  兰州大学:775  低温电导:630  负相关:613   Semiconductor laser device 专利 专利号: JP1980039612A, 申请日期: 1980-03-19, 公开日期: 1980-03-19 作者:  KUWABARA HIDEO 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/01/18 n型Ga_(1-x)Al_λAs中Te施主能级组分关系近似计算 期刊论文 1980 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2011/06/29 丙烯氨氧化合成丙烯腈锑铁催化剂的研究 期刊论文 合成纤维工业, 1980, 期号: 2, 页码: 10-15 山东淄博石油化工厂; 长春应用化学研究所 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/06/18 丙烯转化率  流化床催化剂  研制成功  寿命试验  反应温度  铁催化剂  丙烯腈  丙烯醛  催化剂性能  选择性