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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：1980     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Semiconductor laser device with lens and its preparation 专利 专利号: JP1980038065A, 申请日期: 1980-03-17, 公开日期: 1980-03-17 作者:  SARUWATARI MASATOSHI;  NAWATA KIYOSHI 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 PULSED RUBY AND CW, ND-YAG LASER ANNEALING OF BI IMPLANTED SI SINGLE-CRYSTALS INVESTIGATED BY CHANNELING 期刊论文 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 1980, 卷号: 51, 期号: 3-4, 页码: 179-184 DEUTCH,BI; CHU,TC; CAO,DX; LEOU,SH; ZHOW,ZY; HU,JZ; DAI,RZ; TSOU,SC 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/25 HYDROTHERMAL GROWTH OF Y2(CO3)3.NH2O (TENGERITE) SINGLE-CRYSTALS 期刊论文 journal of crystal growth, 1980 J.A.K. Tareen; T.R. Narayanan Kutty; K.V. Krishnamurty 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/07/20