×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
清华大学 [2]
新疆理化技术研究所 [2]
北京大学 [1]
自动化研究所 [1]
山东大学 [1]
近代物理研究所 [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [7]
学位论文 [1]
发表日期
2022 [1]
2021 [1]
2018 [2]
2015 [1]
2010 [2]
2002 [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Impact of High TID Irradiation on Stability of 65 nm SRAM Cells
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 卷号: 69, 期号: 5, 页码: 1044-1050
作者:
Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1]
;
Li, YD (Li, Yudong) [1]
;
Guo, Q (Guo, Qi) [1]
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2022/06/21
SRAM cells
Radiation effects
Arrays
Stability criteria
Circuit stability
Voltage measurement
Logic gates
Stability
static random-access memory (SRAM) cell
total ionizing dose (TID)
Verification of SEU resistance in 65 nm high-performance SRAM with dual DICE interleaving and EDAC mitigation strategies
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2021, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 13
作者:
He, Ze
;
Zhao, Shi-Wei
;
Liu, Tian-Qi
;
Cai, Chang
;
Yan, Xiao-Yu
收藏
  |  
浏览/下载:64/0
  |  
提交时间:2022/01/12
Double interlocked storage cell (DICE)
Error detection and correction (EDAC) code
Heavy ion
Radiation hardening technology
Single event upset (SEU)
Static random-access memory (SRAM)
Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 691-697
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng)
;
Lu, W (Lu, Wu)
;
He, CF (He, Chengfa)
收藏
  |  
浏览/下载:48/0
  |  
提交时间:2018/05/15
Static Noise Margin (Snm)
Static Random Access Memory (Sram)
Total Ionizing Dose (Tid)
All-Oxide-Semiconductor-Based Thin-Film Complementary Static Random Access Memory
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1876-1879
作者:
Yang, Jin
;
Yuan, Yuzhuo
;
Li, Yunpeng
;
Du, Lulu
;
Wang, Yiming
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Static random access memory (SRAM)
complementary inverter
indium
gallium zinc oxide (InGaZnO or IGZO)
tin monoxide (SnO)
thin-film
transistor (TFT)
基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究
学位论文
工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:
刘丽
收藏
  |  
浏览/下载:213/0
  |  
提交时间:2015/09/02
绝缘体上硅
KFZ加固
单粒子翻转
静态随机存储器
silcon-on-insulator(SOI)
radiation hardness
sigle event upset(SEU)
static random access memory(SRAM)
Design of adaptive deblocking filter for H.264/AVC decoder SOC
期刊论文
2010, 2010
Yang Kun
;
Zhang Chun
;
Wang Zhi-hua
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
无SRAM的H.264/AVC去块效应滤波器
期刊论文
2010, 2010
李健
;
乔飞
;
罗嵘
;
杨华中
;
Li Jian
;
Qiao Fei
;
Luo Rong
;
Yang Hua-zhong
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
Implementation of fully self-aligned bottom-gate MOS transistor
期刊论文
ieee electron device letters, 2002
Zhang, SD
;
Han, RQ
;
Zhang, ZK
;
Huang, R
;
Ko, PK
;
Chan, MS
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/16
bottom-gate
low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD)
MOSFET
self-aligned structure
static random access memory (SRAM)
PERFORMANCE
POLYSILICON
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace