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A SiC asymmetric cell trench MOSFET with a split gate and integrated p(+)-poly Si/SiC heterojunction freewheeling diode
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2023, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 8
作者:
Jiang, Kaizhe
;
Zhang, Xiaodong
;
Tian, Chuan
;
Zhang, Shengrong
;
Zheng, Liqiang
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2023/10/07
split gate (SG)
heterojunction freewheeling diode (HJD)
SiC asymmetric cell trench MOSFET
turn-on loss
turn-off loss
碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
杨圣
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2021/08/27
SiC功率MOSFET
电离总剂量效应
高功率
开关频率
长期可靠性
空间辐射环境下 SiC MOSFET 的栅氧可靠性研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
梁晓雯
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2020/11/19
SiC MOSFET
栅氧可靠性
总剂量效应
单粒子效应
潜损伤
安全工作区
Study of the influence of gamma irradiation on long-term reliability of SiC MOSFET
期刊论文
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 559-566
作者:
Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ]
;
Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ]
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng)[ 1,2 ]
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2020/12/11
SiC MOSFET
total ionizing dose irradiation
time-dependent dielectric breakdown
A Single Gate Driver Based Solid-State Circuit Breaker Using Series Connected SiC MOSFETs
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 2002-2006
作者:
Ren, Yu
;
Yang, Xu
;
Zhang, Fan
;
Wang, Fei
;
Tolbert, Leon M.
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/11/19
Gate drivers
Integrated circuit reliability
MOS-FET
Series connections
SiC MOSFET
Solid State Circuit Breaker
Voltage balancing
Wide band gap devices
Online junction temperature estimation method for SiC modules with built-in NTC sensor
期刊论文
CPSS Transactions on Power Electronics and Applications, 2019, 卷号: Vol.4 No.1, 页码: 94-99
作者:
Ping Liu
;
Changle Chen
;
Xing Zhang
;
Shoudao Huang
收藏
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浏览/下载:101/0
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提交时间:2019/12/13
Silicon carbide
Junctions
MOSFET
Temperature sensors
Impedance
Heating systems
Mathematical model
Boundary conditions
junction temperature
silicon carbide (SiC)
thermal model.
Carrier-Based Double Integral Sliding-Mode Controller of Class-D Amplifier
期刊论文
IEEE Access, 2019, 卷号: Vol.7, 页码: 1275-1283
作者:
Xiaohua Wu
;
Haider Zaman
;
Xiancheng Zheng
;
Shahbaz Khan
;
Husan Ali
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/13
Mathematical
model
Frequency
response
Q-factor
Control
systems
Switching
frequency
Silicon
carbide
Voltage
control
Carrier-based
double
integral
sliding-mode
(CBDISM)
class-D
amplifier
Q-factor
SiC
MOSFET
Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.3, 页码: 2771-2780
作者:
Jun Wang
;
Xi Jiang
;
Zongjian Li
;
Z. John Shen
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/13
MOSFET
Silicon carbide
Logic gates
Insulated gate bipolar transistors
Switches
Leakage currents
Silicon
Failure analysis
gate control
hybrid switch (HyS)
IGBT
short-circuit (SC)
Silicon Carbide (SiC) $\scriptscriptstyle{\text{MOSFET}}$
Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.2, 页码: 1744-1754
作者:
Jun Wang
;
Zongjian Li
;
Xi Jiang
;
Cheng Zeng
;
Z. John Shen
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/13
Switches
Insulated
gate
bipolar
transistors
Silicon
carbide
MOSFET
Logic
gates
Silicon
Gate
control
hybrid
switch
IGBT
junction
temperature
mosfet
power
loss
SiC
Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.34 No.2, 页码: 1744-1754
作者:
Wang, J
;
Li, ZJ
;
Jiang, X
;
Zeng, C
;
Shen, ZJ
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/17
Gate control
hybrid switch
IGBT
junction temperature
MOSFET
power loss
SiC
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