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| Manufacture of semiconductor laser device 专利
专利号: JP1991071687A, 申请日期: 1991-03-27, 公开日期: 1991-03-27
作者: YOSHITOSHI KEIICHI; IKEGAMI TAKATOSHI
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1988301581A, 申请日期: 1988-12-08, 公开日期: 1988-12-08
作者: YOSHITOSHI KEIICHI; YONEDA KOJI
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1988072176A, 申请日期: 1988-04-01, 公开日期: 1988-04-01
作者: YOSHITOSHI KEIICHI
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| Manufacture of semiconductor element 专利
专利号: JP1987043194A, 申请日期: 1987-02-25, 公开日期: 1987-02-25
作者: YOSHITOSHI KEIICHI
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1986290791A, 申请日期: 1986-12-20, 公开日期: 1986-12-20
作者: YOSHITOSHI KEIICHI
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| Formation of groove having stepped structure 专利
专利号: JP1986191086A, 申请日期: 1986-08-25, 公开日期: 1986-08-25
作者: YOSHITOSHI KEIICHI
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1986099396A, 申请日期: 1986-05-17, 公开日期: 1986-05-17
作者: YOSHITOSHI KEIICHI
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1985254689A, 申请日期: 1985-12-16, 公开日期: 1985-12-16
作者: NIINA TATSUHIKO; YAMAGUCHI TAKAO; YOSHITOSHI KEIICHI
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| Liquid-phase epitaxial growth method 专利
专利号: JP1985198719A, 申请日期: 1985-10-08, 公开日期: 1985-10-08
作者: YOSHITOSHI KEIICHI; NISHIMURA TAKAYUKI; AOME YOSHIO
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| Formation of electrode for gaalas crystal 专利
专利号: JP1985180116A, 申请日期: 1985-09-13, 公开日期: 1985-09-13
作者: NIINA TATSUHIKO; YOSHITOSHI KEIICHI
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