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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Semiconductor device 专利 专利号: US9231375, 申请日期: 2016-01-05, 公开日期: 2016-01-05 作者:  TASAI, KUNIHIKO;  NAKAJIMA, HIROSHI;  FUTAGAWA, NORIYUKI;  YANASHIMA, KATSUNORI;  ENYA, YOHEI 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 III-nitride semiconductor laser device and method for fabricating III-nitride semiconductor laser device 专利 专利号: US8953656, 申请日期: 2015-02-10, 公开日期: 2015-02-10 作者:  KYONO, TAKASHI;  TAKAGI, SHIMPEI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 Group-III nitride semiconductor laser device 专利 专利号: US8908732, 申请日期: 2014-12-09, 公开日期: 2014-12-09 作者:  UENO, MASAKI;  KATAYAMA, KOJI;  IKEGAMI, TAKATOSHI;  NAKAMURA, TAKAO;  YANASHIMA, KATSUNORI 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 Laser diode device and method of manufacturing laser diode device 专利 专利号: US8891568, 申请日期: 2014-11-18, 公开日期: 2014-11-18 作者:  FUTAGAWA, NORIYUKI;  NAKAJIMA, HIROSHI;  YANASHIMA, KATSUNORI;  KYONO, TAKASHI;  ADACHI, MASAHIRO 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24 Gallium nitride-based semiconductor laser device, and method for fabricating gallium nitride-based semiconductor laser device 专利 专利号: US8477818, 申请日期: 2013-07-02, 公开日期: 2013-07-02 作者:  KUMANO, TETSUYA;  UENO, MASAKI;  KYONO, TAKASHI;  ENYA, YOHEI;  YANASHIMA, KATSUNORI 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26