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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interface trap characterization of Al2O3/GaN vertical-type MOS capacitors on GaN substrate with surface treatments 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 卷号: 767, 页码: 600-605 作者:  Ren, Bing[1];  Sumiya, Masatomo[2];  Liao, Meiyong[3];  Koide, Yasuo[4];  Liu, Xinke[5] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/22 GaN  Vertical-type MOS  Interface states   Suppression in the electrical hysteresis by using CaF2 dielectric layer for p-GaN MIS capacitors 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 123 作者:  Sang, Liwen[1];  Ren, Bing[2];  Liao, Meiyong[3];  Koide, Yasuo[4];  Sumiya, Masatomo[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 Nearly ideal vertical GaN Schottky barrier diodes with ultralow turn-on voltage and on-resistance 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2017, 卷号: 10 作者:  Ren, Bing[1];  Liao, Meiyong[2];  Sumiya, Masatomo[3];  Wang, Linjun[4];  Koide, Yasuo[5] 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/04/24