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Semiconductor device and method for manufacturing the same 专利
专利号: US6265733, 申请日期: 2001-07-24, 公开日期: 2001-07-24
作者:  SHIMOYAMA, KENJI;  KIYOMI, KAZUMASA;  GOTOH, HIDEKI;  NAGAO, SATORU
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Semiconductor light-emitting device 专利
专利号: US6023483, 申请日期: 2000-02-08, 公开日期: 2000-02-08
作者:  SHIMOYAMA, KENJI;  FUJII, KATSUSHI;  NAGAO, SATORU;  GOTO, HIDEKI
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Semiconductor light-emitting devices 专利
专利号: US5811839, 申请日期: 1998-09-22, 公开日期: 1998-09-22
作者:  SHIMOYAMA, KENJI;  HOSOI, NOBUYUKI;  FUJII, KATSUSHI;  YAMAUCHI, ATSUNORI;  GOTOH, HIDEKI
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III-V compound semiconductor with high crystal quality and luminous efficiency 专利
专利号: US5606180, 申请日期: 1997-02-25, 公开日期: 1997-02-25
作者:  HOSOI, NOBUYUKI;  SHIMOYAMA, KENJI;  GOTO, HIDEKI
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Semiconductor laser diode 专利
专利号: EP0661784A3, 申请日期: 1995-12-27, 公开日期: 1995-12-27
作者:  HORIE, HIDEYOSHI, C/O MITSUBISHI CHEMICAL CORP.;  INOUE, YUICHI, C/O MITSUBISHI CHEMICAL CORP.;  SHIMOYAMA, KENJI, C/O MITSUBISHI CHEMICAL CORP.;  HOSOI, NOBUYUKI, C/O MITSUBISHI CHEMICAL CORP.;  GOTO, HIDEKI, C/O MITSUBISHI CHEMICAL CORP.
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Method of manufacturing a group II-VI compound semiconductor 专利
专利号: GB2280309A, 申请日期: 1995-01-25, 公开日期: 1995-01-25
作者:  KENJI, SHIMOYAMA;  TOSHINARI, FUJIMORI;  HIDEKI, GOTO
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Semiconductor laser element 专利
专利号: EP0590951A2, 申请日期: 1994-04-06, 公开日期: 1994-04-06
作者:  INOU, YUICHI;  SHIMOYAMA, KENJI;  SAKAMOTO, ITARU;  GOTO, HIDEKI
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Halbleiterbauelement 专利
专利号: DE4331037A1, 申请日期: 1994-03-24, 公开日期: 1994-03-24
作者:  GOTOH HIDEKI;  INOUE YUICHI;  SHIMOYAMA KENJI
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Method of making semiconductor laser devices 专利
专利号: US5145807, 申请日期: 1992-09-08, 公开日期: 1992-09-08
作者:  SHIMOYAMA, KENJI;  GOTOH, HIDEKI
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Divided electrode type semiconductor laser device 专利
专利号: EP0370831A3, 申请日期: 1991-05-02, 公开日期: 1991-05-02
作者:  SUZUKI, YOSHIHIRO AGENCY OF IND.SCIENCE AND TECHN.;  YAJIMA, HIROYOSHI AGENCY OF IND.SCIENCE AND TECHN.;  SHIMADA, JUNICHI AGENCY OF IND.SCIENCE AND TECHN.;  SHIMOYAMA, KENJI MITSUBISHI KASEI CORPORATION;  GOTOH, HIDEKI MITSUBISHI KASEI CORPORATION
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