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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Depth Profile of Impurity Phase in Wide-Bandgap Cu(In1-x,Ga-x)Se-2 Film Fabricated by Three-Stage Process 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 卷号: 47, 页码: 4944-4949 作者:  Wang, Shenghao[1];  Nazuka, Takehiro[2];  Hagiya, Hideki[3];  Takabayashi, Yutaro[4];  Ishizuka, Shogo[5] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/22 CIGS  solar cell  defect  depth profile  three-stage coevaporation