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Influences of the helical strake cross-section shape on vortex-induced vibrations suppression for a long flexible cylinder 期刊论文
CHINA OCEAN ENGINEERING, 2017, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 438-446
作者:  Xu WH(徐万海);  Luan YS;  Liu LQ;  Wu YX(吴应湘)
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Influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
中国物理B, 2014, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 521-524
作者:  Yu YX(于英霞);  Lin ZJ(林兆军);  Luan CB(栾崇彪);  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红)
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The influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2014, 期号: 12, 页码: 52-56
作者:  Yu YX(于英霞);  Lin ZJ(林兆军);  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Luan CB(栾崇彪)
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Influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in In_(0.18) Al_(0.82) N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
Chinese Physics B, 2014, 期号: 04, 页码: 521-524
作者:  Yu YX(于英霞);  Lin ZJ(林兆军);  Luan CB(栾崇彪);  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红)
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/17
Randomized, Controlled Trial of the Modified Stoppa Versus the Ilioinguinal Approach for Acetabular Fractures 期刊论文
ORTHOPEDICS, 2013, 卷号: 36, 期号: 10, 页码: E1307-E1315
作者:  Ma, KL;  Luan, FJ;  Wang, X;  Ao, YX;  Liang, Y
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Influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
AIP ADVANCES, 2013, 卷号: 3, 期号: 9
Yu, YX; Lin, ZJ; Luan, CB; Lv, YJ; Feng, ZH; Yang, M; Wang, YT; Chen, H
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Electron mobility in the linear region of an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 6
Yu, YX; Lin, ZJ; Luan, CB; Wang, YT; Chen, H; Wang, ZG
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Electron mobility in the linear region of an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor 期刊论文
中国物理B, 2013, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 534-539
作者:  Yu YX(于英霞);  Lin ZJ(林兆军);  Luan CB(栾崇彪);  Wang YT(王玉堂);  Chen H(陈弘)
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Electron mobility in the linear region of an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor 期刊论文
Chinese Physics B, 2013, 期号: 06, 页码: 534-539
作者:  Yu YX(于英霞);  Lin ZJ(林兆军);  Luan CB(栾崇彪);  Wang YT(王玉堂);  Chen H(陈弘)
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/23
Influence of the side-Ohmic contact processing on the polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 11
Luan, CB; Lin, ZJ; Lv, YJ; Meng, LG; Yu, YX; Cao, ZF; Chen, H; Wang, ZG
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