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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A Junctionless Nanowire Transistor With a Dual-Material Gate 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2012, 卷号: 59, 页码: 1829-1836 作者:  Lou, Haijun[1];  Zhang, Lining[2];  Zhu, Yunxi[3];  Lin, Xinnan[4];  Yang, Shengqi[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/30 Dual-material gate (DMG)  junctionless  nanowire  numerical simulation  single-material gate (SMG)   Characteristics Sensitivity of FinFET to Fin Vertical Nonuniformity 会议论文 NSTI Nanotechnology Conference and Expo, 2011-06-13 作者:  Xu, Jiaojiao[1];  Ma, Chenyue[2];  Zhang, Chenfei[3];  Zhang, Xiufang[4];  Wu, Wen[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/30 FinFET device  process fluctuation  vertical nonuniformity  performance variation   A novel approach to simulate Fin-width Line Edge Roughness effect of FinFET performance 会议论文 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2010, 2010-12-15 作者:  Guo, Xinjie[1];  Wang, Shaodi[2];  Ma, Chenyue[3];  Zhang, Chenfei[4];  Lin, Xinnan[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/30 Low gain-error instrumentation amplifier for current sensing 会议论文 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2010, 2010-12-15 作者:  Wang, Jiongming[1];  Ge, Fuding[2];  Yang, Shengqi[3];  Lin, Xinnan[4];  He, Jin[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/30 Simple leakage Current and 1/f Noise Expressions for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors (CPCI-S收录) 会议 作者:  He, Hongyu[1,2];  Deng, Wanling[3];  Liu, Yuan[4];  Lin, Xinnan[2];  Zheng, Xueren[5] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/11 Simple leakage current and 1/f noise expressions for polycrystalline silicon thin-film transistors (EI收录) 会议 Hong Kong, Hong kong, 作者:  He, Hongyu[1,2];  Deng, Wanling[3];  Liu, Yuan[4];  Lin, Xinnan[2];  Zheng, Xueren[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/11 Drain current  Electron devices  Leakage currents  Polycrystalline materials  Polysilicon  Power spectral density  Solid state devices  Spectral density  Thin film transistors  Thin films   Analysis of 1/f Noise for Polycrystalline Silicon TFTs Considering Mobility Power-Law Parameter (CPCI-S收录) 会议 作者:  He, Hongyu[1,2];  Liu, Yuan[3];  Wang, Hao[4];  Lin, Xinnan[2];  Zheng, Xueren[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/11 Simple leakage Current and 1/f Noise Expressions for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors 会议论文 Univ Hong Kong, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, AUG 03-05, 2016 作者:  He, Hongyu[1,2];  Deng, Wanling[3];  Liu, Yuan[4];  Lin, Xinnan[2];  Zheng, Xueren[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/10 Simple leakage current and 1/f noise expressions for polycrystalline silicon thin-film transistors 会议论文 Hong Kong, Hong kong, August 3, 2016 - August 5, 2016 作者:  He, Hongyu[1,2];  Deng, Wanling[3];  Liu, Yuan[4];  Lin, Xinnan[2];  Zheng, Xueren[5] 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/13