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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of post oxidation annealing in nitric oxide on interface properties of 4H-SiC/SiO2after high temperature oxidation 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2015, 卷号: 36, 期号: 9 作者:  Li, Yanyue;  Deng, Xiaochuan;  Liu, Yunfeng;  Zhao, Yanli;  Li, Chengzhan 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/11/03 AIGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band 期刊论文 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 514-517 Yao Xiaojiang; Li Bin; Chen Yanhu; Chen Xiaojuan; Wei Ke; Li Chengzhan; Luo Weijun; WANG Xiaoliang; Liu Dan; Liu Guoguo; Liu Xinyu 收藏  |  浏览/下载：152/11  |  提交时间：2010/11/23 Structure optimization of field-plate AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 microelectronics journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 272-274 Luo WJ (Luo Weijun); Wei K (Wei Ke); Chen XJ (Chen Xiaojuan); Li CZ (Li Chengzhan); Liu XY (Liu Xinyu); Wang XL (Wang Xiaoliang) 收藏  |  浏览/下载：135/0  |  提交时间：2010/03/29 GaN