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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing 期刊论文 Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 25, 页码: 4 作者:  J. W. Ben,Z. M. Shi,H. Zang,X. J. Sun,X. K. Liu,W. Lu and D. B. Li 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/07/06