QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Gallium nitride group compound semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same 专利 专利号: US6111275, 申请日期: 2000-08-29, 公开日期: 2000-08-29 作者:  HATA, TOSHIO 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor laser device having clad and contact layers respectively doped with Mg and method for fabricating the same 专利 专利号: US6009113, 申请日期: 1999-12-28, 公开日期: 1999-12-28 作者:  MORIMOTO, TAIJI;  SHIBATA, ZENKICHI;  ISHIZUMI, TAKASHI;  MIYAZAKI, KEISUKE;  HATA, TOSHIO 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/12/26 A method of fabricating a semiconductor laser device having clad and contact layers respectively doped with Mg 专利 专利号: EP0693810B1, 申请日期: 1999-04-28, 公开日期: 1999-04-28 作者:  MORIMOTO, TAIJI;  SHIBATA, ZENKICHI;  ISHIZUMI, TAKASHI;  MIYAZAKI, KEISUKE;  HATA, TOSHIO 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/24 Method of fabricating a semiconductor laser device 专利 专利号: EP0452146B1, 申请日期: 1994-01-12, 公开日期: 1994-01-12 作者:  HOSOBA, HIROYUKI;  SEKI, AKINORI;  HATA, TOSHIO;  KONDOU, MASAFUMI;  SUYAMA, TAKAHIRO 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 Formation method of compound semiconductor layer 专利 专利号: JP1992245417A, 申请日期: 1992-09-02, 公开日期: 1992-09-02 作者:  HATA TOSHIO;  KANEIWA SHINJI;  KONDO MASAFUMI;  HOSOBANE HIROYUKI;  SUYAMA NAOHIRO 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser element 专利 专利号: JP1992242987A, 申请日期: 1992-08-31, 公开日期: 1992-08-31 作者:  SUYAMA NAOHIRO;  SEKI AKINORI;  HOSOBANE HIROYUKI;  KONDO MASAFUMI;  HATA TOSHIO 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser 专利 专利号: JP1988036589A, 申请日期: 1988-02-17, 公开日期: 1988-02-17 作者:  HATA TOSHIO 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser 专利 专利号: JP1988029990A, 申请日期: 1988-02-08, 公开日期: 1988-02-08 作者:  HATA TOSHIO 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13