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| ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 专利
专利号: JP2015149312A, 申请日期: 2015-08-20, 公开日期: 2015-08-20
作者: 住友 隆道; 高木 慎平
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| III族氮化物半导体激光元件、制作III族氮化物半导体激光元件的方法、评价III族氮化物半导体激光元件的光谐振器用的端面的方法、评价刻划槽的方法 专利
专利号: CN104737394A, 申请日期: 2015-06-24, 公开日期: 2015-06-24
作者: 高木慎平
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| III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利号: CN102934301B, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2014-10-22
作者: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
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| III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利
专利号: CN102668282B, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15
作者: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
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| III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利
专利号: CN102668279B, 申请日期: 2014-09-10, 公开日期: 2014-09-10
作者: 善积祐介; 高木慎平; 池上隆俊; 上野昌纪; 片山浩二
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| 用于制造半导体激光器器件的方法及半导体激光器器件 专利
专利号: CN103959579A, 申请日期: 2014-07-30, 公开日期: 2014-07-30
作者: 滨口达史; 高木慎平
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| III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 专利
专利号: CN102763293B, 申请日期: 2014-07-23, 公开日期: 2014-07-23
作者: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
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| 制造III族氮化物半导体激光器件的方法 专利
专利号: CN103828148A, 申请日期: 2014-05-28, 公开日期: 2014-05-28
作者: 高木慎平
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| 用于制作III族氮化物半导体激光器件的方法 专利
专利号: CN103797667A, 申请日期: 2014-05-14, 公开日期: 2014-05-14
作者: 高木慎平
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| 激光二极管以及制造激光二极管的方法 专利
专利号: CN103208740A, 申请日期: 2013-07-17, 公开日期: 2013-07-17
作者: 滨口达史; 高木慎平
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