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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 ICP刻蚀对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响 期刊论文 半导体光电, 2018, 卷号: 39, 页码: 216-220 作者:  李雅飞[1];  李晓良[2];  马英杰[3];  陈洁珺[4];  徐飞[5] 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/24 ICP刻蚀  Cl2/Ar  Cl2/BCl3  光刻胶碳化变性  刻蚀图形侧壁