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| 半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP2810254B2, 申请日期: 1998-07-31, 公开日期: 1998-10-15
作者: 細羽 弘之; 関 章憲; 幡 俊雄; 近藤 雅文; 須山 尚宏
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2721274B2, 申请日期: 1997-11-21, 公开日期: 1998-03-04
作者: 関 章憲; 細羽 弘之; 幡 俊雄; 近藤 雅文; 須山 尚宏
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| 半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP2717016B2, 申请日期: 1997-11-07, 公开日期: 1998-02-18
作者: 細羽 弘之; 関 章憲; 幡 俊雄; 近藤 雅文; 須山 尚宏
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| 化合物半導体の成長方法及び半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2706369B2, 申请日期: 1997-10-09, 公开日期: 1998-01-28
作者: 関 章憲; 細羽 弘之; 幡 俊雄; 近藤 雅文; 須山 尚宏
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| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1996034334B2, 申请日期: 1996-03-29, 公开日期: 1996-03-29
作者: 厚主 文弘; 中津 弘志; 猪口 和彦; 奥村 敏之; 関 章憲
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| 半導体レーザー 专利
专利号: JP1995106689A, 申请日期: 1995-04-21, 公开日期: 1995-04-21
作者: 関 章憲; 大西 豊和; 中野 次郎
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| 半導体レーザー 专利
专利号: JP1994090063A, 申请日期: 1994-03-29, 公开日期: 1994-03-29
作者: 関 章憲
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