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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP3718952B2, 申请日期: 2005-09-16, 公开日期: 2005-11-24
作者: 門脇 朋子; 木村 達也; 多田 仁史; 藤原 正敏
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP2004140141A, 申请日期: 2004-05-13, 公开日期: 2004-05-13
作者: 門脇 朋子
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| 活性層吸収型パルセーション半導体レーザダイオードとその製造方法 专利
专利号: JP1998256652A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25
作者: 藤原 正敏; 門脇 朋子; 柴田 公隆
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| 半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP2653562B2, 申请日期: 1997-05-23, 公开日期: 1997-09-17
作者: 柿本 昇一; 門脇 朋子; 青柳 利隆; 高木 和久
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| 半導体レーザアレイ装置 专利
专利号: JP1996293641A, 申请日期: 1996-11-05, 公开日期: 1996-11-05
作者: 門脇 朋子; 相賀 正夫
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| 半導体装置およびその製造方法 专利
专利号: JP1995226565A, 申请日期: 1995-08-22, 公开日期: 1995-08-22
作者: 松本 啓資; 門脇 朋子
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| 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1995115242A, 申请日期: 1995-05-02, 公开日期: 1995-05-02
作者: 斉藤 弘之; 門脇 朋子
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP1995034496B2, 申请日期: 1995-04-12, 公开日期: 1995-04-12
作者: 生和 義人; 青柳 利隆; 門脇 朋子; 村上 隆志; 須崎 渉
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| 半導体レーザ装置、およびその製造方法 专利
专利号: JP1994338655A, 申请日期: 1994-12-06, 公开日期: 1994-12-06
作者: 門脇 朋子
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| 半導体レーザ素子用サブマウント 专利
专利号: JP1994310617A, 申请日期: 1994-11-04, 公开日期: 1994-11-04
作者: 門脇 朋子
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