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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 化合物半導体レーザ 专利 专利号: JP2624588B2, 申请日期: 1997-04-11, 公开日期: 1997-06-25 作者:  山本 ▲ミツ▼夫;  山本 知生;  中野 純一;  都築 信頼 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26 化合物半導体単結晶エピタキシャル基板およびその成長方法 专利 专利号: JP2587150B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-03-05 作者:  山本 ▲ミツ▼夫;  山本 知生;  都築 信頼 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 光出力モニタ付半導体レ-ザ 专利 专利号: JP1995105555B2, 申请日期: 1995-11-13, 公开日期: 1995-11-13 作者:  福田 光男;  野口 悦男;  中野 純一;  中野 好典;  植木 峰雄 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ 专利 专利号: JP1994029615A, 申请日期: 1994-02-04, 公开日期: 1994-02-04 作者:  岡安 雅信;  福田 光男;  天明 二郎;  中野 純一;  都築 信頼 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13