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| III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利号: CN102934301B, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2014-10-22
作者: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
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| III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利
专利号: CN102668282B, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15
作者: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
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| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司
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| III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利
专利号: CN102668279B, 申请日期: 2014-09-10, 公开日期: 2014-09-10
作者: 善积祐介; 高木慎平; 池上隆俊; 上野昌纪; 片山浩二
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| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司
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| III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 专利
专利号: CN102763293B, 申请日期: 2014-07-23, 公开日期: 2014-07-23
作者: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
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| III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利
专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史
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| III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 专利
专利号: CN102341977B, 申请日期: 2013-06-19, 公开日期: 2013-06-19
作者: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
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| Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利号: CN101984774B, 申请日期: 2013-02-13, 公开日期: 2013-02-13
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史
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| Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法 专利
专利号: CN102714397A, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2012-10-03
作者: 善积祐介; 高木慎平; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽
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