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表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法 专利
申请日期: 2018-05-29,
作者:  潘革波,邓凤祥,赵宇,胡立峰
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一种有机 GaN 异质p-n 结紫外光探测器及其制备方法 专利
专利号: 201310495473.9, 申请日期: 2017-08-08,
作者:  潘革波;  胡立峰;  邓凤祥;  赵宇;  肖燕
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III–V族纳米结构及其制作方法 专利
专利号: 201410140814.5, 申请日期: 2017-02-15,
作者:  潘革波;  邓凤祥;  胡立峰;  赵宇
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