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DATA WRITING METHOD WHICH IMPROVES THREE-DIMENSIONAL NAND FLASH MEMORY RELIABILITY 专利
申请日期: 2019-09-26, 公开日期: 2019-09-26
作者:  Chen JZ(陈杰智);  Cao R(曹芮);  Wu JX(武继璇)
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Defects coupling impacts on mono-layer wse2 tunneling field-effect transistors 期刊论文
Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 3
作者:  Wu,Jixuan;  Ma,Xiaolei;  Chen,Jiezhi;  Jiang,Xiangwei
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提高三维NAND闪存存储器可靠性的数据写入方法 专利
申请日期: 2019-01-18, 公开日期: 2019-01-18
作者:  陈杰智;  曹芮;  武继璇
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Defects coupling impacts on mono-layer WSe2 tunneling field-effect transistors 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019, 卷号: 12, 期号: 3
作者:  Wu, Jixuan;  Ma, Xiaolei;  Chen, Jiezhi;  Jiang, Xiangwei
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/11
Defects coupling impacts on mono-layer WSe2 tunneling field-effect transistors 期刊论文
Applied Physics Express, 2019, 卷号: 12, 期号: 3
作者:  Wu, Jixuan;  Ma, Xiaolei;  Chen, Jiezhi;  Jiang, Xiangwei
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/11
Multiscale simulation of lateral charge loss in Si3N4 3D NAND flash based on density functional theory 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 52, 期号: 39
作者:  Wu, Jixuan;  Chen, Jiezhi;  Jiang, Xiangwei
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/11
Program/Erase Cycling Enhanced Lateral Charge Diffusion in Triple-level Cell Charge-trapping 3D NAND Flash Memory 期刊论文
2019 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS), 2019, 卷号: 2019-March
作者:  Cao, Rui;  Wu, Jixuan;  Yang, Wenjing;  Chen, Jiezhi;  Jiang, Xiangwei
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/11
Multiscale simulation of lateral charge loss in Si3N4 3D NAND flash based on density functional theory 期刊论文
Journal of Physics D: Applied Physics, 2019, 卷号: 52, 期号: 39
作者:  Wu, Jixuan;  Chen, Jiezhi;  Jiang, Xiangwei
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/11
Atomistic Study of lateral Charge Diffusion Degradation During Program/Erase Cycling in 3-D NAND Flash memory 期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2019, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 626-631
作者:  Wu, Jixuan;  Chen, Jiezhi;  Jiang, Xiangwei
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Spontaneous polarization enhancement in ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 using atomic oxygen defects engineering: An ab initio study 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 115, 期号: 9
作者:  Wei, Wei;  Ma, Xiaolei;  Wu, Jixuan;  Wang, Fei;  Zhan, Xuepeng
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