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| 半導体光素子 专利
专利号: JP2009021454A, 申请日期: 2009-01-29, 公开日期: 2009-01-29
作者: 井上 武史
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| 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP3106852B2, 申请日期: 2000-09-08, 公开日期: 2000-11-06
作者: 井上 武史; 中島 眞一
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| 半導体分布帰還型レーザ装置 专利
专利号: JP3027044B2, 申请日期: 2000-01-28, 公开日期: 2000-03-27
作者: 多田 邦雄; 中野 義昭; 井上 武史; 中島 眞一
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| 埋め込み型半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP2913327B2, 申请日期: 1999-04-16, 公开日期: 1999-06-28
作者: 井上 武史; 山口 朗; 入田 丈司
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| 半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利号: JP2903321B2, 申请日期: 1999-03-26, 公开日期: 1999-06-07
作者: 多田 邦雄; 中野 義昭; 羅 毅; 井上 武史; 岩岡 秀人
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1998117039A, 申请日期: 1998-05-06, 公开日期: 1998-05-06
作者: 井上 武史
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| 埋め込み型半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP2736383B2, 申请日期: 1998-01-16, 公开日期: 1998-04-02
作者: 井上 武史
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| 結合分布帰還型半導体レーザ 专利
专利号: JP1995335971A, 申请日期: 1995-12-22, 公开日期: 1995-12-22
作者: 井上 武史
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| 半導体分布帰還型レーザ装置 专利
专利号: JP1993167179A, 申请日期: 1993-07-02, 公开日期: 1993-07-02
作者: 井上 武史; 中島 眞一
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| 半導体分布帰還型レーザ装置 专利
专利号: JP1993145169A, 申请日期: 1993-06-11, 公开日期: 1993-06-11
作者: 多田 邦雄; 中野 義昭; 曹 宏力; 羅 毅; 井上 武史
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