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Photoelectric Characteristics of Micro Flip-Chip AlGaInP Light Emitting Diode Array
期刊论文
Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica, 2018, 卷号: 38, 期号: 9
作者:
Ban, Zhang
;
Liang, Jingqiu
;
Lu, Jinguang
;
Li, Yang
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/09/17
Flip chip devices
Aluminum alloys
Copper
Diodes
Energy utilization
Gallium alloys
Heat convection
Heat resistance
III-V semiconductors
Indium alloys
Light emitting diodes
Microchannels
Numerical methods
Optical devices
Photoelectricity
Polydimethylsiloxane
Semiconductor alloys
Silicones
Temperature
Monolithic integration of enhancement-mode vertical driving transistorson a standard InGaN/GaN light emitting diode structure
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: [db:dc_citation_issue]
作者:
Lu, Xing
;
Liu, Chao
;
Jiang, Huaxing
;
Zou, Xinbo
;
Zhang, Anping
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/02
Light-emitting diode and method for preparing the same
专利
专利号: US9087933, 申请日期: 2015-07-21, 公开日期: 2015-07-21
作者:
XU, JIN
;
WANG, JIANGBO
;
LIU, RONG
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/12/24
An explanation for catastrophic failures of GaN-based vertical structure LEDs subjected to thermoelectric stressing
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 48
作者:
Liu, Lilin[1]
;
Yin, Luqiao[2]
;
Teng, Dongdong[3]
;
Zhang, Jianhua[4]
;
Ma, Xincan[5]
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/04/30
vertical structure light emitting diode
catastrophic failure
dislocation
electromigration
Optical navigation system and method of estimating motion
专利
专利号: GB2476186A, 申请日期: 2011-06-15, 公开日期: 2011-06-15
作者:
YAT KHENG LEONG
;
SAI MUN LEE
;
THINESHWARAN G KRISHNAN
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2020/01/18
Vertical cavity surface emitting laser diode (VCSEL) with enhanced emitting efficiency
专利
专利号: US7953135, 申请日期: 2011-05-31, 公开日期: 2011-05-31
作者:
ONISHI, YUTAKA
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/26
Vertical cavity surface emitting laser diode (VCSEL) with enhanced emitting efficiency
专利
专利号: US7953135, 申请日期: 2011-05-31, 公开日期: 2011-05-31
作者:
ONISHI, YUTAKA
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/26
提高GaN基LED发光效率的研究
学位论文
2011, 2010
朱丽虹
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2013/07/17
GaN基LED
GaN-based LED
蒙托卡罗方法
Monte Carlo photon-raytracing method
MOCVD
MOCVD
InGaN/GaN 多量子阱
InGaN/GaN MQW
欧姆接触
ohmic contact
侧向外延过生长
LEO technique
极化效应
polarization effect.
内量子效率。
GaN基垂直结构LED关键工艺研究
学位论文
2011, 2011
江方
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/02/14
垂直结构GaN基LED
高反射率电极
区域剥离
vertical structure LED
high reflective contact
patterned laser lift-off
Vertical cavity surface emitting laser with barrier reduction layers
专利
专利号: MYPI2007000430A0, 申请日期: 2008-09-20, 公开日期: 2008-09-20
作者:
MOHD SHARIZAL BIN ALIAS
;
KHAIRUL ANUAR BIN MAT SHARIF
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/30
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