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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 超薄GOI材料的制备及HfO2/Ge界面态研究 学位论文 2016, 2016 蓝小凌 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/06/20 锗浓缩  超薄GOI  电子束曝光  HfO2  界面态密度  germanium condensation  ultra thin GOI  electron beam lithography  HfO2  interface state density   A CMOS-compatible approach to fabricate an ultra-thin germanium-on-insulator with large tensile strain for Si-based light emission 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1364/OE.21.000640, 2013 Huang, Shihao; Lu, Weifang; Li, Cheng; Huang, Wei; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 李成 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 THERMAL-EXPANSION  SILICON  GE  SUBSTRATE  FILMS  OPTOELECTRONICS  GAIN  MASS   A CMOS-compatible approach to fabricate an ultra-thin germanium-on-insulator with large tensile strain for Si-based light emission 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1364/OE.21.000640, 2013 Huang, Shihao; Lu, Weifang; Li, Cheng; Huang, Wei; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 李成 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/07/22 THERMAL-EXPANSION  SILICON  GE  SUBSTRATE  FILMS  OPTOELECTRONICS  GAIN  MASS   A CMOS-compatible approach to fabricate an ultra-thin germanium-on- insulator with large tensile strain for Si-based light emission 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1364/OE.21.000640, 2013 Huang, Shihao; Lu, Weifang; Li, Cheng; Huang, Wei; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 李成; 赖虹凯; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/07/22 Germanium  Photoluminescence  Silica  Silicon   High-�� gate dielectrics for Ge CMOS and related memory devices 其他 2012-01-01 Chin, Albert; Chen, P.C.; Cheng, C.H.; Wu, Y.H.; Liu, X.Y.; Kang, J.F. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/17 Properties of ultra-thin SiGe-on-insulator materials prepared by Ge condensation method 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201200038, 2012 Li, Cheng; Huang, Shihao; Lu, Weifang; Xu, Jianfang; Huang, Wei; Sun, Zhijun; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 李成; 徐剑芳; 黄巍; 孙志军; 赖虹凯; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/07/22 Germanium  Oxidation  Raman spectroscopy  Transmission electron microscopy  X ray diffraction   超薄绝缘体上锗(GOI)材料制备及其性质研究 学位论文 2011, 2011 胡美娇 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/02/14 锗浓缩  氧化  退火  GOI  肖特基源漏结MOSFETs  Ge condensation  Oxidation  Annealing  GOI  Schottky source/drain junction MOSFETs   A comparative study on analog/RF performance of UTB GOI and SOI devices 期刊论文 semiconductor science and technology, 2008 Zhuge, Jing; An, Xia; Huang, Ru; Xiao, Han; Hou, Xiaoyu; Wang, Runsheng; Wang, Yangyuan 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 NOISE PERFORMANCE  ELECTRON-MOBILITY  ULTRATHIN SOI  MOSFETS  GATE  RF  PMOSFETS  LAYERS  BULK