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	Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 691-697 作者: Zheng, QW (Zheng, Qiwen); Cui, JW (Cui, Jiangwei); Yu, XF (Yu, Xuefeng); Lu, W (Lu, Wu); He, CF (He, Chengfa) 收藏 \| 浏览/下载：49/0 \| 提交时间：2018/05/15 Static Noise Margin (Snm) Static Random Access Memory (Sram) Total Ionizing Dose (Tid)
	Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1-5 作者: Zheng, QW (Zheng, Qiwen); Cui, JW (Cui, Jiangwei); Liu, MX (Liu, Mengxin); Su, DD (Su, Dandan); Zhou, H (Zhou, Hang) 收藏 \| 浏览/下载：39/0 \| 提交时间：2017/12/05 Silicon-on-insulator Total Ionizing Dose Static Random Access Memory Static Noise Margin
	基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究学位论文工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015 作者: 刘丽收藏 \| 浏览/下载：214/0 \| 提交时间：2015/09/02 绝缘体上硅 KFZ加固单粒子翻转静态随机存储器 silcon-on-insulator(SOI) radiation hardness sigle event upset(SEU) static random access memory(SRAM)
	Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories induced by total dose irradiation 期刊论文 Chinese Physics B, 2014, 卷号: 23, 期号: 10 作者: Zheng, Qi-Wen; Yu, Xue-Feng; Cui, Jiang-Wei; Guo, Qi; Ren, Di-Yuan 收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2014/11/11 total dose irradiation static random access memory pattern imprinting deep sub-micron
	Numerical study on effect of random dopant fluctuation on double gate MOSFET based 6-T SRAM performance 其他 2011-01-01 Zhang, Xiufang; Ma, Chenyue; Zhao, Wei; Zhang, Chenfei; Wang, Guozeng; Wu, Wen; Wang, Wenping; Cao, Yu; Yang, Shengqi; Yang, Zhang; Ma, Yong; Ye, Yun; Li, Yongliang; Wang, Ruonan; Wang, Ruonan; He, Jin 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2015/11/13
	Impact of Stochastic Mismatch on FinFETs SRAM Cell Induced by Process Variation 其他 2008-01-01 Yu, Shimeng; Zhao, Yuning; Du, Gang; Kang, Jinfeng; Han, Ruqi; Liu, Xiaoyan 收藏 \| 浏览/下载：9/0 \| 提交时间：2015/11/10 FLUCTUATIONS STABILITY
	A Novel 4T nMOS-Only SRAM Cell in 32nm Technology Node 期刊论文半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 1917-1921 Zhang Wancheng; Wu Nanjian 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2010/11/23
	Impacts of Process Variability of Alternating-Material Self-Aligned Multiple Patterning on SRAM Circuit Performance (CPCI-S收录) 会议作者: Han, Ting[1]; Hong, Chuyang[1]; Cheng, Qi[1]; Chen, Yijian[1] 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/04/11 SRAM circuit variability static noise margin (SNM) alternating-material (dual-material) self-aligned multiple patterning (altSAMP) edge-placement errors (EPE)
	SRAM Circuit Performance in the Presence of Process Variability of Self-aligned Multiple Patterning (CPCI-S收录) 会议论文 DESIGN FOR MANUFACTURABILITY THROUGH DESIGN-PROCESS INTEGRATION VII 作者: Xiao, Wei[1]; Cheng, Qi[1]; Chen, Yijian[1] 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2019/04/15 Self-aligned triple patterning (SATP) self-aligned quadruple patterning (SAQP) SRAM static noise margin (SNM) inter-cell variability intra-cell variability

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