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Low Power Static Induction Transistor with High Gate-Control Efficiency
会议论文
10th IEEE Conference on Industrial Electronics and Applications, Auckland, NEW ZEALAND, JUN 15-17, 2015
作者:
Qiao, JL
;
Wang, J
;
Yan, ZW
;
Yang, JH
;
Wang, ZX
收藏
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浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2017/01/20
SIT
low power
voltage amplification factor
impurity distribution
Design of Short Channel Static Induction Transistor for Low Power Applications
会议论文
10th IEEE Conference on Industrial Electronics and Applications, Auckland, NEW ZEALAND, JUN 15-17, 2015
作者:
Wang, J
;
Qiao, JL
;
Yan, ZW
;
Yang, JH
;
Wang, ZX
收藏
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浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2017/01/20
SIT
numerical simulation
I-V characteristics
breakdown characteristics
Improvement on the dynamical performance of a power bipolar static induction transistor with a buried gate structure
期刊论文
半导体学报/Journal of Semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 11, 页码: 60-64
作者:
Wang YS(王永顺)
;
Feng JJ(冯晶晶)
;
Liu CJ(刘春娟)
;
Wang ZX(汪再兴)
;
Zhang CZ(张彩珍)
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/06/24
bipolar static induction transistor
dynamical parameters
transient processes
potential barrier
power consumption
Scattering due to spacer layer thickness fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs modulation-doped heterostructures
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 2, 页码: 23705
Liu GP
;
Wu J
;
Lu YW
;
Li ZW
;
Song YF
;
Li CM
;
Yang SY
;
Liu XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2012/02/06
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
INTERFACE ROUGHNESS
QUANTUM-WELLS
MOBILITY
HETEROJUNCTION
TRANSPORT
MODEL
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhao JZ
;
Cao ZF
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Wang ZG
;
Chen H
收藏
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浏览/下载:64/6
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503
作者:
Jiang XW
收藏
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SEMICONDUCTOR-DEVICES
SILICON DEVICES
MONTE-CARLO
MOSFETS
NANOTRANSISTORS
APPROXIMATION
EQUATIONS
DESIGN
MODELS
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Cao ZF
;
Luan CB
;
Chen H
;
Wang ZG
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浏览/下载:56/2
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提交时间:2011/07/05
AlGaN/GaN heterostructures
thermal stressing
polarization
self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN
The influence of the InGaN back-barrier on the properties of Al(0.3)Ga(0.7)N/AlN/GaN/InGaN/GaN structure
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 10102
Bi Y
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Peng EC
;
Lin DF
;
Feng C
;
Jiang LJ
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2012/01/06
ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
ALGAN/GAN
POLARIZATION
PASSIVATION
HFETS
GHZ
The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
作者:
Bi Y
;
Lin DF
;
Peng EC
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2011/09/14
2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS
ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS
MILLIMETER-WAVE APPLICATIONS
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
HETEROJUNCTION FETS
HETEROSTRUCTURES
PASSIVATION
CONFINEMENT
PERFORMANCE
BARRIERS
Improvements on radiation-hardened performance of static induction transistor
期刊论文
SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2010, 卷号: 53, 期号: 5, 页码: 1089-1096
作者:
Wang, YS
;
Luo, XL
;
Li, HR
;
Wang, ZT
;
Wu, R
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/05/25
static induction transistor
radiation-resistant
potential barrier
electron beam
radiation-generated carriers
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