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Neutron-induced single event upset simulation in Geant4 for three-dimensional die-stacked SRAM*
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 8
作者:
Mo, Li-Hua
;
Ye, Bing
;
Liu, Jie
;
Luo, Jie
;
Sun, You-Mei
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浏览/下载：33/0
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提交时间：2021/12/10
neutron
three-dimension ICs
single event upset
multi-bit upset
Geant4
Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 374-381
作者:
Cai, Chang
;
Liu, Tianqi
;
Zhao, Peixiong
;
Fan, Xue
;
Huang, Hongyang
收藏
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浏览/下载：23/0
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提交时间：2022/01/19
D filp-flops (DFFs)
heavy ions
radiation hardening
single-event upsets (SEUs)
ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon on insulator (UTBB FDSOI)
The Impacts of Heavy Ion Energy on Single Event Upsets in SOI SRAMs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 页码: 1091-1100
作者:
Gu, Song
;
Liu, Jie
;
Bi, Jinshun
;
Zhao, Fazhan
;
Zhang, Zhangang
收藏
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浏览/下载：23/0
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提交时间：2018/07/16
Energy dependence
heavy ions
nuclear reactions
silicon-on-insulator (SOI) technology
single event upset (SEU)
Detection System of Single Event Upset Based onFPGA
会议论文
中国厦门, 2018
作者:
Bobo Feng
;
Cuiping Shao
;
Huiyun Li
收藏
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浏览/下载：19/0
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提交时间：2019/01/31
Detecting Fault Injection Attacks Based on Compressed Sensing and Integer Linear Programming
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEPENDABLE AND SECURE COMPUTING, 2018
作者:
Huiyun Li
收藏
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浏览/下载：19/0
|
提交时间：2019/01/31
DAO: Dual module redundancy with AND/OR logic voter
会议论文
Beijing, 2015-10-21
作者:
Zheng, Meisong
;
Wang, Zilong
;
Li, Lijian
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浏览/下载：16/0
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提交时间：2016/06/27
Fpga
Fault Tolerance
Dual Modular Redundancy
Fault Sensitivity
Predictions for proton and heavy ions induced SEUs in 65 nm SRAMs
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2015, 卷号: 36
作者:
Du, S.
;
Yue, S.
;
Liu, H.
;
Fan, L.
;
Zheng, H.
收藏
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浏览/下载：3/0
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提交时间：2019/12/30
Atomic physics
Nanotechnology
Protons
Radiation hardening
Bulk silicon
Chinese Academy of Sciences
High energy proton
Modern physics
Research facilities
SEU rates
Single event upsets
Tandem accelerators
Heavy ions
Effectiveness and failure modes of error correcting code in industrial 65 um CMOS SRAMs exposed to heavy ions
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2014, 卷号: 25
作者:
Tong Teng
;
Wang Xiao-Hui
;
Zhang Zhan-Gang
;
Ding Peng-Cheng
;
Liu Jie
收藏
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浏览/下载：10/0
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提交时间：2018/07/05
Single Event Upsets (Seu)
Sram
Error Correcting Code (Ecc)
Hamming Code
Effectiveness
Failure Modes
SEU induced dynamic current variation of SRAM-based FPGA: A case study
会议论文
Sevilla, Spain
作者:
Xing, Kefei
;
Yang, Jun
;
Wang, Yueke
;
Hou, Mingdong
;
He, Wei
收藏
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浏览/下载：12/0
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提交时间：2019/03/27
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