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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Experimental investigation on total-ionizing-dose radiation effects on the electrical properties of SOI-LIGBT 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2021, 卷号: 175, 期号: 1, 页码: 1-7 作者:  Yang, GG (Yang, Guangan)[ 1 ];  Wu, WR (Wu, Wangran)[ 1 ];  Zhang, XY (Zhang, Xingyao)[ 2 ];  Tang, PY (Tang, Pengyu)[ 1 ];  Yang, J (Yang, Jing)[ 1 ] 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2021/03/15 SOI-LIGBT  Total-ionizing-dose  Radiation  Degradation   A Snapback-Free and Low-Loss Shorted-Anode SOI LIGBT With Self-Adaptive Resistance 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1390-1395 作者:  Xiaorong Luo;  Yang Yang;  Tao Sun;  Jie Wei;  Diao Fan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 Anodes  Resistance  Current density  Silicon-on-insulator  Insulated gate bipolar transistors  Spontaneous emission  Sun  Low-loss  p-type polysilicon  self-adaptive resistance (SAR)  shorted-anode (SA)  snapback-free  silicon on insulator lateral insulated gate bipolar transistor (SOI LIGBT)