×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [6]
力学研究所 [5]
清华大学 [3]
兰州大学 [2]
山东大学 [2]
厦门大学 [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [22]
会议论文 [3]
发表日期
2020 [2]
2016 [1]
2014 [3]
2012 [1]
2011 [4]
2010 [3]
更多...
学科主题
半导体材料 [3]
712.1.2 Co... [1]
Materials ... [1]
heat treat... [1]
力学 [1]
半导体物理 [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共25条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Simulations of dislocation density in silicon carbide crystals grown by the PVT-method
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 6
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Zhu P(朱鹏)
;
He M(何蒙)
收藏
  |  
浏览/下载:55/0
  |  
提交时间:2020/03/11
Computer simulation
Defects
Heat transfer
Stresses
Growth from vapor
Semiconducting silicon compounds
Decreasing Resistivity of Silicon Carbide Ceramics by Incorporation of Graphene
期刊论文
MATERIALS, 2020, 卷号: 13, 期号: 16
作者:
Cai, Ningning
;
Guo, Daidong
;
Wu, Guoping
;
Xie, Fangmin
;
Tan, Shouhong
收藏
  |  
浏览/下载:71/0
  |  
提交时间:2020/12/16
ELECTRICAL-RESISTIVITY
MECHANICAL-PROPERTIES
SIC CERAMICS
COMPOSITE
INFILTRATION
PERCOLATION
CONDUCTION
gamma-ray detector based on n-type 4H-SiC Schottky barrier diode
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 20
作者:
Du YY(杜园园)
;
Zhang CL(张春雷)
;
Cao XL(曹学蕾)
;
Du, YY
;
Zhang, CL
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2017/07/26
4H-SiC
wide-band semiconductor
Schottky diode
gamma-ray detector
Step flow and polytype transformation in growth of 4H-SiC crystals
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 卷号: 394, 页码: 126
Liu, CJ
;
Chen, XL
;
Peng, TH
;
Wang, B
;
Wang, WJ
;
Wang, G
收藏
  |  
浏览/下载:223/0
  |  
提交时间:2015/04/14
Surface structure
Polytype transformation
Single crystal growth
Silicon carbide
Semiconducting materials
Improvement of the thermal design in the SiC PVT growth process
会议论文
7th International Workshop on Modeling in Crystal Growth, Taipei,TW, China, OCT 28-31, 2012
作者:
Jiang YN(姜燕妮)
;
Jiang YN(姜燕妮)
;
Yan JY(颜君毅)
;
Chen QS(陈启生)
;
Zhang H
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2014/02/24
Fluid flows
Mass transfer
Growth from vapor
Semiconducting silicon compounds
Improvement of the thermal design in the SiC PVT growth process
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2014, 卷号: 385, 页码: 34-37
作者:
Yan JY(颜君毅)
;
Chen QS(陈启生)
;
Jiang YN(姜燕妮)
;
Zhang H
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2014/02/13
Fluid flows
Mass transfer
Growth from vapor
Semiconducting silicon compounds
Fabrication and mechanism of 6H-type silicon carbide whiskers by physical vapor transport technique
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2012, 卷号: 349, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 68-74
作者:
Shi, Yonggui
;
Yang, Jianfeng
;
Liu, Hulin
;
Dai, Peiyun
;
Liu, Bobo
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/10
Growth from vapor
Physical vapor transport technique
Semiconducting silicon carbide
Growth models
Whiskers
First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
收藏
  |  
浏览/下载:100/6
  |  
提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
High-Performance4H-SiC-based metal-insulator-semiconductor ultraviolet photodetectors with SiO2 and Al2O3SiO2 Films
期刊论文
ieee electron device letters, 2011, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 1722-1724
Zhang, Feng
;
Sun, Guosheng
;
Huang, Huolin
;
Wu, Zhengyun
;
Wang, Lei
;
Zhao, Wanshun
;
Liu, Xingfang
;
Yan, Guoguo
;
Zheng, Liu
;
Dong, Lin
;
Zeng, Yiping
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2012/06/14
Integrated circuits
Metal insulator boundaries
Photodetectors
Semiconducting silicon compounds
Semiconductor insulator boundaries
Silicon carbide
First principles study of the electronic properties of twinned sic nanowires
期刊论文
Journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Wang, Zhiguo
;
Wang, Shengjie
;
Zhang, Chunlai
;
Li, Jingbo
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Twinned sic nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace