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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2006 [2]
学科主题
半导体物理 [1]
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A bistable, self-latching inverter by the monolithic integration of resonant tunnelling diode and high electron mobility transistor
期刊论文
Chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 2422-2426
作者:
Ma Long
;
Huang Ying-Long
;
Zhang Yang
;
Yang Fu-Hua
;
Wang Liang-Chen
收藏
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提交时间:2019/05/12
Resonant tunnelling diode (rtd)
High electron mobility transistor (hemt)
Molecular beam epitaxy (mbe)
Bistability
Self-latching
A bistable, self-latching inverter by the monolithic integration of resonant tunnelling diode and high electron mobility transistor
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 2422-2426
Ma L (Ma Long)
;
Huang YL (Huang Ying-Long)
;
Zhang Y (Zhang Yang)
;
Yang FH (Yang Fu-Hua)
;
Wang LC (Wang Liang-Chen)
收藏
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  |  
提交时间:2010/04/11
resonant tunnelling diode (RTD)
high electron mobility transistor (HEMT)
molecular beam epitaxy (MBE)
bistability
self-latching
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