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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ferroelectric FETs-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Circuits 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2019, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 159-172 作者:  Chen, Xiaoming;  Niemier, Michael;  Hu, Xiaobo Sharon;  Yin, Xunzhao 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2019/04/03 Ferroelectric FET (FeFET)  logic-in-memory (LiM)  nonvolatile (NV) memory   High-Performance InGaZnO-Based ReRAMs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 2600-2605 作者:  Ma, Pengfei;  Liang, Guangda;  Wang, Yiming;  Li, Yunpeng;  Xin, Qian 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/12/11 Electrode  indium-gallium-zinc oxide (IGZO)  memory window  oxygen  plasma  resistive random access memories (ReRAMs)  retention time