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科研机构
西安交通大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2018 [1]
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Paralleled GaN DHEMTs integrated cascode GaN switch for high-current applications
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2018, 卷号: 54, 页码: 899-900
作者:
Zhu, Tianhua
;
Zhuo, Fang
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/11/19
high-current applications
wire bonding
power density
avalanche-suppressed method
gallium compounds
GaN
integral package
lead bonding
single gate driver
field effect transistor switches
MOSFET
DHEMT integrated cascode switch
high electron mobility transistors
paralleled depletion-mode high-electron-mobility transistors
wide band gap semiconductors
cascode transistors
silicon-MOSFET
Si
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cost reduction
optimised symmetric configuration
high-current cascode gallium nitride switch
III-V semiconductors
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