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A viable approach to prepare 3C-SiC coatings by thermal MOCVD using commercial grade precursors
期刊论文
JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY, 2022, 卷号: 42, 期号: 11, 页码: 4456-4464
作者:
Liu, Housheng
;
Tariq, Naeem ul Haq
;
Jing, Weichen
;
Cui, Xinyu
;
Tang, Mingqiang
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2022/07/14
HMDSO
MOCVD
SiC
Thermal reduction
Development of hydrogen-free fully amorphous silicon oxycarbide coating by thermal organometallic chemical vapor deposition technique
期刊论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2022, 卷号: 575, 页码: 8
作者:
Liu, Housheng
;
Tariq, Naeem ul Haq
;
Han, Rifei
;
Liu, Hanhui
;
Cui, Xinyu
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2021/12/09
Chemical vapor deposition
Amorphous SiOC coating
Amorphous carbon
Compositionally undulating step-graded InAsyP1-y buffer layer growth by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 363, 期号: 0, 页码: 44-48
作者:
Ji, L(季莲)
;
Zhao, YM(赵勇明)
;
Yang, H(杨辉)
;
Dong, JR(董建荣)
;
Lu, SL(陆书龙)
收藏
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2014/01/09
Organometallic vapor phase epitaxy
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:
Song HP
;
Shi K
;
Sang L
;
Wei HY
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浏览/下载:58/3
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提交时间:2011/07/05
Metal organic chemical vapor deposition
Sapphire
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
VAPOR-PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
ZNO NANORODS
RAMAN-SCATTERING
M-PLANE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
NANOWIRES
FIELDS
Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: art. no. 026804
Lu GJ (Lu Guo-Jun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:110/2
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提交时间:2010/04/22
metalorganic chemical vapor deposition
Al1-xInxN
gradual variation in composition
optical reflectance spectra
X-RAY-DIFFRACTION
PHASE EPITAXY
RELAXATION
FILMS
HETEROSTRUCTURES
SEPARATION
DYNAMICS
ALLOYS
REGION
LAYERS
Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties
期刊论文
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Qiu YX (Qiu Y. X.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/12/12
InGaN
Dislocation
Metalorganic chemical vapor deposition
High resolution X-ray diffraction
Cathodoluminescence
MISFIT DISLOCATIONS
QUANTUM-WELLS
BAND-GAP
EPILAYERS
GENERATION
ALLOYS
INN
Cathodoluminescence study on in composition inhomogeneity of thick InGaN layer
期刊论文
thin solid films, 2010, 卷号: 518, 期号: 17, 页码: 5028-5031
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:60/2
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提交时间:2010/08/17
Gallium Nitride
Indium Gallium Nitride
Cathodeluminescence
X-ray Diffraction
Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
Chemical vapor deposition of Fe(CO)(4)(SiCl(3))(2) for the synthesis of hydrogenation catalyst made of highly dispersed iron silicide particles on silica
会议论文
10th International Symposium on the Scientific Bases for the Preparation of Heterogeneous Catalysts, Univ Catholique Louvain (UCL), Louvain la Neuve, BELGIUM, 2010-07-11
作者:
Guan, Jingchao
;
Zhao, Anqi
;
Chen, Xiao
;
Zhang, Mingming
;
Liang, Changhai
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/24
Fe(CO)(4)(SiCl(3))(2)
organometallic chemical vapor deposition
iron silicide
naphthalene hydrogenation
Annealing behaviors of long-wavelength InAs/GaAs quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284
作者:
Ye XL
;
Liang S
收藏
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浏览/下载:32/4
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提交时间:2010/03/08
Photoluminescence
Metalorganic vapor phase epitaxy
Self-assembled quantum dots
Indium arsenide
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