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Gate-Controlled Magnetic Phase Transition in a van der Waals Magnet Fe5GeTe2
期刊论文
NANO LETTERS, 2021, 卷号: 21
作者:
Tan, Cheng
;
Xie, Wen-Qiang
;
Zheng, Guolin
;
Aloufi, Nuriyah
;
Albarakati, Sultan
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2021/08/30
Fe5GeTe2
van der Waals ferromagnetism
magnetic phase transition
solid protonic gating
A Charge Density Model of Silicon-nanowire GAA MOSFET Incoroperating the Source-drian Tunneling Effect for IC Design
会议论文
Guilin, China, June 4-6, 2021
作者:
Cheng H(程贺)
;
Zhang C(张超)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Xie C(谢闯)
;
Yang ZJ(杨志家)
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2022/02/04
ballistic transport
compact model
integrated-cricuit design
sub-7 nm GAA MOSFET
the source-drain tunneling
Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling
期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9
作者:
Cheng H(程贺)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Zhang C(张超)
;
Liu ZF(刘志峰)
;
Yang ZJ(杨志家)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2020/07/11
ballistic transport
cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET
compact model
Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation
the source-to-drain tunneling
Analytic Compact Model of Short-channel Cylindrical ballistic GAA MOSFET Including SDT effect
会议论文
Zhangjiajie, China, April 24-26, 2020
作者:
Cheng H(程贺)
;
Zhang C(张超)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Yang ZJ(杨志家)
;
Zhang ZP(张志鹏)
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2020/08/01
Achieving high gating performance for ion mobility spectrometry by manipulating ion swarm spatiotemporal behaviors in the vicinity of ion shutter
期刊论文
ANALYTICA CHIMICA ACTA, 2019, 卷号: 1052, 页码: 96-104
作者:
Wang, Weiguo
;
Li, Mei
;
Jiang, Dandan
;
Li, Haiyang
;
Chen, Hong
收藏
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2019/06/20
Ion mobility spectrometry
Gating performance
Ion swarm transport
Spatiotemporal model
Achieving high gating performance for ion mobility spectrometry by manipulating ion swarm spatiotemporal behaviors in the vicinity of ion shutter
期刊论文
Analytica chimica acta, 2019, 卷号: 1052, 页码: 96-104
作者:
Chen, Hong
;
Chen, Chuang
;
Li, Mei
;
Wang, Weiguo
;
Jiang, Dandan
收藏
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2019/05/08
Ion mobility spectrometry
Gating performance
Ion swarm transport
Spatiotemporal model
High Performance Vertical Resonant Photo-Effect-Transistor with an All-Around OLED-Gate for Ultra-Electromagnetic Stability
期刊论文
ACS NANO, 2019, 卷号: 13, 页码: 8425-8432
作者:
Li, Qikun
;
Bi, Sheng
;
Asare-Yeboah, Kyeiwaa
;
Na, Jin
;
Liu, Yun
收藏
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2019/12/02
photo-effect-transistor
OLED gate
nanowire channel
resonance
anti-electromagnetic interference
Positive Bias Temperature Instabilities in Vertical Gate-all-around poly-Si Nanowire Field-effect Transistors
会议论文
1st IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications, ICTA 2018, November 21, 2018 - November 23, 2018
作者:
Yang, Wenjing
;
Li, Yuan
;
Wang, Bo
;
Qian, He
;
Chen, Jiezhi
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/31
High-k Spacer Consideration of Ultrascaled Gate-All-Around Junctionless Transistor in Ballistic Regime
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: 5282-5288
作者:
Yang YM(杨育梅)
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2020/11/13
Ballistics
Dielectric materials
Drain current
Gate dielectrics
MOSFET devices
Poisson equation
Shims
Direct current performance
High- k
junctionless
Junctionless transistors
Non-equilibrium green functions
Nonequilibrium green function formalisms
Quantum simulators
Subthreshold characteristics
High-k Spacer Consideration of Ultrascaled Gate-All-Around Junctionless Transistor in Ballistic Regime
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: 5282-5288
作者:
Yang, Yumei
;
Lou, Haijun
;
Lin, Xinnan
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/11/15
High-k spacer
junctionless
nonequilibrium Green function (NEGF)
quantum simulator
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