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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of doubly-hydrogenated oxygen vacancy on the TID effect of MOS devices 期刊论文 FRONTIERS IN MATERIALS, 2022, 卷号: 9 作者:  Lu, Guangbao;  Liu, Jun;  Zheng, Qirong;  Li, Yonggang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2022/12/23 total ionizing dose effect  dynamic modeling  doubly-hydrogenated oxygen vacancy  microscopic mechanism  MOS devices