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Structural stability and electronic properties of the (0001) inversion domain boundary in III-nitrides
期刊论文
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2018, 卷号: 154, 页码: 152-158
作者:
Li, Siqian
;
Lei, Huaping
;
Anglade, Pierre-Matthieu
;
Chen, Jun
;
Ruterana, Pierre
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2019/12/20
Inversion domain boundary (IDB)
Group III-nitrides
DFT
Chemical bonding
Electronic structure
The electronic structures of MN and InN wurtzite nanowires
期刊论文
2017, 卷号: 107, 页码: 150-162
作者:
Xiong, Wen[1]
;
Li, Dong-Xiao[1]
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/28
The electronic structures of AlN and InN wurtzite nanowires
期刊论文
2017, 卷号: 107, 页码: 150-162
作者:
Xiong, Wen[1]
;
Li, Dong-Xiao[1]
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/11/29
GROWTH OF HIGHLY (0002) ORIENTED InN FILMS ON AlInN/AlN BILAYER
期刊论文
Surface Review and Letters, 2013, 卷号: 20, 期号: 2
C. J. Dong
;
M. Xu
;
W. Lu
;
Q. Z. Huang
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/12/24
Thin films
nitrides
sputtering
microstructure
chemical-vapor-deposition
molecular-beam epitaxy
optical-properties
lattice-constants
phase epitaxy
wurtzite inn
thin-films
layers
spectroscopy
nitridation
Simulation of doping levels and deep levels in InGaN-based single-junction solar cell
期刊论文
2012
Lin, Shuo
;
Zeng, Shengwei
;
Cai, Xiaomei
;
Zhang, Jiangyong
;
Wu, Shaoxiong
;
Sun, Li
;
Zhang, Baoping
;
张保平
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2013/04/01
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
DOPED GAN
BAND-GAP
PHOTOVOLTAIC PROPERTIES
INDIUM NITRIDE
INN FILMS
ACTIVATION
DIFFUSION
CHARGE
In极性面InN的生长动力学行为
期刊论文
2012
黄强灿
;
蔡端俊
;
康俊勇
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2016/05/17
第一性原理
动力学
InN
first-principle
kinetic
InN
Controllable growth of InN nanostructures (Invited Review)
期刊论文
Journal of Nanoengineering and Nanomanufacturing, 2012, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 112–122
作者:
Tao Kong(孔涛)
;
Guosheng Cheng(程国胜)
;
Guosheng Cheng(程国胜)
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/01/22
Vapor–Liquid–Solid Growth
Nanostructure
Surface Adatoms Diffusion.
Wurtzite to zincblende transition of InN films on (011) SrTiO3 by decreasing trimethylindium flows
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2012, 卷号: 106, 期号: 3, 页码: 655-659
Jia, CH
;
Chen, YH
;
Zhang, B
;
Liu, XL
;
Yang, SY
;
Zhang, WF
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2013/03/17
Valence band offset of wurtzite inn/srtio3 heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 4
作者:
Li, Zhiwei
;
Zhang, Biao
;
Wang, Jun
;
Liu, Jianming
;
Liu, Xianglin
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Structural properties of InN films grown in different conditions by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2010.87, 2011
Wang, Xiuhua
;
Chen, Shanshan
;
Lin, Wei
;
Li, Shuping
;
Chen, Hangyang
;
Liu, Dayi
;
Kang, Junyong
;
康俊勇
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2013/12/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INDIUM NITRIDE
RAMAN-SCATTERING
LATTICE-DYNAMICS
GAN
SEMICONDUCTORS
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