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Interfacial oxygen-octahedral-tilting-driven electrically tunable topological Hall effect in ultrathin SrRuO3 films
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 52, 期号: 40, 页码: 13
作者:
Gu, Youdi
;
Wei, Yi-Wen
;
Xu, Kun
;
Zhang, Hongrui
;
Wan, Fei
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浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2021/02/02
oxygen octahedral tilting
topological Hall effect
SrRuO3 films
gate-tunnable Dzyaloshinskii-Moriya interaction
oxide spintronics
Interfacial oxygen-octahedral-tilting-driven electrically tunable topological Hall effect in ultrathin SrRuO3 films
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 52, 期号: 40, 页码: 13
作者:
Gu, Youdi
;
Wei, Yi-Wen
;
Xu, Kun
;
Zhang, Hongrui
;
Wan, Fei
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2021/02/02
oxygen octahedral tilting
topological Hall effect
SrRuO3 films
gate-tunnable Dzyaloshinskii-Moriya interaction
oxide spintronics
Annealing-induced evolution in interface stability and electrical performance of sputtering-driven rare-earth-based gate oxides
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 卷号: 778, 期号: 无, 页码: 579-587
作者:
Wang, Die
;
He, Gang
;
Liang, Shuang
;
Liu, Mao
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2020/03/31
Dy2O3 gate dielectrics
High-k
Annealing temperature
Optical properties
Electrical characteristics
Atomic-Layer-Deposition Growth of an Ultrathin HfO2 Film on Graphene
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017
Xiao, Mengmeng
;
Qiu, Chenguang
;
Zhang, Zhiyong
;
Peng, Lian-Mao
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/12/03
atomic layer deposition
HfO2 graphene
high k
gate insulator
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GATE DIELECTRICS
CARBON NANOTUBES
METAL-OXIDES
PERFORMANCE
ELECTRONICS
Toward High-Performance Top-Gate Ultrathin HfS2 Field-Effect Transistors by Interface Engineering
期刊论文
small, 2016
作者:
Chen B(陈波)
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2017/05/09
Depth profiling of ultra-thin oxynitride gate dielectrics by using MCs2+ technique
期刊论文
2010, 2010
Gui, D.
;
Mo, Z. Q.
;
Xing, Z. X.
;
Huang, Y. H.
;
Hua, Y. N.
;
Zhao, S. P.
;
Cha, L. Z.
收藏
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浏览/下载:2/0
Defect Size Effect and Defect Band Conduction of Ultrathin Oxides After Degradation and Breakdown
期刊论文
ieee electron device letters, 2009
Xu, Mingzhen
;
Tan, Changhua
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/10
Defect band
oxide defect
ultrathin oxide
SOFT BREAKDOWN
SILICON-OXIDE
GATE OXIDES
LAYERS
MODEL
Electron velocity saturation and probable cross-section area of leakage current path post soft breakdown (SBD) in ultrathin gate oxides
其他
2007-01-01
Xu, Ming-Zhen
;
Tan, Chang-Hua
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/10
First-principles theory of tunneling currents in metal-oxide-semiconductor structures
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: -
作者:
Zhang, X. -G.
;
Lu, Zhong-Yi
;
Pantelides, Sokrates T.
;
Zhang, XG , Oak Ridge Natl Lab, Ctr Nanophys Mat Sci, Oak Ridge, TN 37831 USA
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/08/02
Ultrathin Gate Oxides
Band-structure
Electron-gas
States
Junctions
Formula
Phase separation and interfacial reaction of high-k HfAlOx films prepared by pulsed-laser deposition in oxygen-deficient ambient
期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 7
X. Y. Qiu
;
H. W. Liu
;
F. Fang
;
M. J. Ha
;
J. M. Liu
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/04/14
silicate thin-films
thermal-stability
gate dielectrics
si(100)
zro2
capacitors
diffusion
kinetics
oxides
hfo2
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