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Resonant cavity strained Group III-V photodetector and LED on silicon substrate and method to fabricate same
专利
专利号: US10135226, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2018-11-20
作者:
CHENG, CHENG-WEI
;
LEOBANDUNG, EFFENDI
;
LI, NING
;
SADANA, DEVENDRA K.
;
SHIU, KUEN-TING
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/24
Integration of Highly Strained SiGe in Source and Drain with HK and MG for 22 nm Bulk PMOS Transistors
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2017
作者:
Wang GL(王桂磊)
;
Ye TC(叶甜春)
;
Henry Homayoun Radamson
;
Zhao C(赵超)
;
Zhu HL(朱慧珑)
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2018/07/05
Ultrathin homogeneous ni(al) germanosilicide layer formation on strained sige with al/ni multi-layers
期刊论文
Microelectronic engineering, 2015, 卷号: 137, 页码: 88-91
作者:
Liu, Linjie
;
Jin, Lei
;
Knoll, Lars
;
Wirths, Stephan
;
Buca, Dan
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2019/05/10
Germanosilicide
Al mediation
Strained sige
High performance strained Si0.5Ge0.5 quantum-well p-MOSFETs fabricated using a high-kappa/metal-gate last process
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 83, 页码: 210-215
作者:
Liu, Chang[1]
;
Wen, Jiao[2]
;
Yu, Wenjie[3]
;
Zhang, Bo[4]
;
Xue, Zhongying[5]
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/04/26
SiGe
Quantum-well
Gate-last
Hole mobility
Integration of highly-strained SiGe materials in 14nm and beyond nodes FinFET technology
期刊论文
Solid-State Electronics, 2014
作者:
Li JF(李俊峰)
;
Wang GL(王桂磊)
;
Luo J(罗军)
;
Guo YL(郭奕栾)
;
Chen T(陈韬)
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2015/04/24
能带改性Si基应变Ge材料的制备及其发光性质
学位论文
2014, 2014
黄诗浩
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2016/01/12
能带工程
张应变锗
Si基Ge外延材料
绝缘层上硅锗/锗材料
室温光致发光
Si基SiGe/Ge/SiGe异质结构
Band engineering
Tensile strained Ge
Ge-on-Si
SGOI/GOI
Room temperature photoluminescence
Si-based SiGe/Ge/SiGe heterostructures
Resonant cavity enhanced photoluminescence of tensile strained Ge/SiGe quantum wells on silicon-on-insulator substrate
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1007/s11801-014-4021-y, 2014
Chen, Li-qun
;
Chen, Yang-hua
;
Li, Cheng
;
李成
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/07/22
Cavity resonators
Chemical vapor deposition
Germanium
Interfaces (materials)
Photoluminescence
Silicon
Silicon on insulator technology
Substrates
Direct-bandgap electroluminescence from tensile-strained Ge/SiGe multiple quantum wells at room temperature
期刊论文
chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 11, 页码: 116103
He Chao
;
Liu Zhi
;
Zhang Xu
;
Huang Wen-Qi
;
Xue Chun-Lai
;
Cheng Bu-Wen
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2015/03/20
Optimization of SiGe selective epitaxy for source/drain engineering
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013
作者:
M.Kolahdouz
;
Wang GL(王桂磊)
;
M.Moeen
;
A.Abedin
;
Luo J(罗军)
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2014/10/30
Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD
期刊论文
CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2012, 卷号: 57, 期号: 15, 页码: 1862-1867
作者:
Xue, ZY
;
Chen, D
;
Liu, LJ
;
Jiang, HT
;
Bian, JT
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/03/29
SiGe
epitaxial growth
growth rate
Ge content
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