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三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应
期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 314-324
作者:
张晋新1
;
王信2
;
郭红霞2,3
;
冯娟1
;
吕玲1
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2022/03/17
锗硅异质结双极晶体管
总剂量效应
三维数值模拟
基于SiGe HBT宽带低噪声放大器的设计及实现
学位论文
: 西安理工大学, 2019
作者:
高保宁
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/20
硅锗异质结双极晶体管
负反馈
S参数
噪声系数
Design of 1.6-2.4 GHz Low Noise Amplifier Based on SiGe HBT
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Liu, Jing
;
Gao, Bao Ning
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/20
feedback
RC network
SiGe HBT
Comparison of holes trapping and protons transport induced by low dose rate gamma radiation in oxide on different SiGe processes
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: 1-5
作者:
Li, P (Li, Pei)[ 1 ]
;
He, CH (He, ChaoHui)[ 1 ]
;
Guo, HX (Guo, HongXia)[ 2,3 ]
;
Zhang, JX (Zhang, JinXin)[ 4 ]
;
Li, YH (Li, YongHong)[ 1 ]
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2020/01/10
SiGe HBTs
Oxide isolation
ELDRS
EHPs generation
Holes trapping
Protons transportation
Synergistic effect of total ionizing dose on single event effect induced by pulsed laser microbeam on SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1-10
作者:
Zhang, JX (Zhang, Jin-Xin)[ 1 ]
;
Guo, HX (Guo, Hong-Xia)[ 2,3 ]
;
Pan, XY (Pan, Xiao-Yu)[ 3 ]
;
Guo, Q (Guo, Qi)[ 2 ]
;
Zhang, FQ (Zhang, Feng-Qi)[ 3 ]
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2018/11/20
Sige Hbt
Synergistic Effect
Single Event Effects
Total Ionizing Dose
Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 期号: 5, 页码: 105-111
作者:
Zhang, JX (Zhang, Jin-xin)
;
Guo, Q (Guo, Qi)
;
Guo, HX (Guo, Hong-xia)
;
Lu, W (Lu, Wu)
;
He, CH (He, Chao-hui)
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2018/06/20
Eldrs
Sige Hbt
Gamma Irradiation
Bias Conditions
Experimental study of pulse neutron irradiation damage in SiGe HBT
期刊论文
Journal of Nuclear Science and Technology, 2018
作者:
Lawal, Olarewaju Mubashiru
;
Li, Zhuoqi
;
Liu, Shuhuan
;
Hussain, Aqil
;
Yang, JiangKun
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/19
annealing effects
excess base current
pulse neutron irradiation
radiation damage
radiation damage region
SiGe HBT
Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 页码: 105-111
作者:
Zhang, Jin-xin
;
Guo, Qi
;
Guo, Hong-xia
;
Lu, Wu
;
He, Chao-hui
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/11/26
Gamma irradiation
ELDRS
SiGe HBT
Bias conditions
新型集电区场板结构SiGe HBT器件特性与机理研究
学位论文
: 西安理工大学, 2018
作者:
杨腾远
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
硅锗异质结双极晶体管
场板
电流增益
特征频率
极端低温下SiGe HBT器件研究进展
期刊论文
微电子学, 2017
作者:
杨玲
;
黄云波
;
韩郑生
;
李博
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2018/05/16
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